[发明专利]氮化物半导体发光元件的制造方法有效
| 申请号： | 201210077451.6 | 申请日： | 2012-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN102694084A | 公开（公告）日： | 2012-09-26 |
| 发明（设计）人： | 永森基;园田孝德 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 岳雪兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 发光 元件 制造 方法 | ||
1.一种氮化物半导体发光元件的制造方法，其中，具有：在基板上形成n型氮化物半导体层的工序、
在所述n型氮化物半导体层上形成发光层的工序、
在所述发光层上形成p型氮化物半导体层的工序、
在包含氧的环境中把所述p型氮化物半导体层以第一温度进行热处理的工序、
在真空环境中把以所述第一温度热处理过的所述p型氮化物半导体层以比第一温度低的第二温度进行热处理的工序。
2.如权利要求1所述的氮化物半导体发光元件的制造方法，其中，所述第一温度是400℃以上700℃以下，所述第二温度是200℃以上。
3.如权利要求1或2所述的氮化物半导体发光元件的制造方法，其中，所述包含氧的环境的压力是1气压以上，所述真空环境是10Pa以下。
4.如权利要求1或2所述的氮化物半导体发光元件的制造方法，其中，所述包含氧的环境中的氧含有量是1％体积以上30％体积以下。
5.如权利要求1或2所述的氮化物半导体发光元件的制造方法，其中，所述p型氮化物半导体层是向以AlxInyGazN(0≤x≤1、0≤y≤1、0≤z≤1，x+y+z＝1)式表示的氮化物半导体掺杂p型杂质而形成的。
6.如权利要求1或2所述的氮化物半导体发光元件的制造方法，其中，向所述p型氮化物半导体层掺杂Mg。
7.如权利要求1或2所述的氮化物半导体发光元件的制造方法，其中，在以所述第二温度进行热处理的工序后，还包括有在所述p型氮化物半导体层上形成导电性薄膜的工序。
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