[发明专利]一种蓝宝石晶体的生长方法及设备有效

专利信息
申请号: 201210075011.7 申请日: 2012-03-20
公开(公告)号: CN103320857A 公开(公告)日: 2013-09-25
发明(设计)人: 维塔利·塔塔琴科;刘一凡;帕维尔·斯万诺夫;李东振;王东海;陈文渊;朱枝勇;牛沈军;孙大伟 申请(专利权)人: 上海中电振华晶体技术有限公司
主分类号: C30B29/20 分类号: C30B29/20;C30B11/00
代理公司: 上海金盛协力知识产权代理有限公司 31242 代理人: 解文霞
地址: 201210 上海市浦东新*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明揭示了一种蓝宝石晶体的生长方法及设备,所述设备包括晶体生长炉、加热器、坩埚、液面高度感测器。加热器用以控制所述晶体生长炉的温度;坩埚设置于晶体生长炉内,包括坩埚主体、设置于该坩埚主体上方的坩埚上部机构,坩埚上部机构的上端开口;坩埚上部机构的横截面积s小于坩埚主体横截面积S;液面高度感测器设置于坩埚上方,用以实时监测坩埚上部机构的液面高度数据,以便获得结晶速度变化数据,从而实现精确控制。本发明提出的蓝宝石晶体的生长方法及设备,可以精确控制结晶速率,使生产过程重复性好,产品质量稳定,品质高。
搜索关键词: 一种 蓝宝石 晶体 生长 方法 设备
【主权项】:
1.一种蓝宝石晶体的生长方法,其特征在于,所述方法包括如下步骤:步骤1:将设定重量的高纯蓝宝石块料或粉料装入坩埚中,选用籽晶晶向为m向或a向的定向籽晶置于坩埚下部,坩埚下部的籽晶由氩气冷却,而后将坩埚置于晶体生长炉内;所用坩埚上部形状为细管状,管上端开口;步骤2:将晶体生长炉抽真空,真空度为~10-3Pa;步骤3:通过加热器控制晶体生长炉升温至2000~2100℃,待蓝宝石熔化成熔体;原料熔化后体积膨胀,使坩埚上部细部中充满了熔体,由于上部直径d小于下部直径D的1/10,则熔体结晶时的体积收缩变化被放大,变得显著,再由坩埚上部的液面高度感测器探头监测到液面高度,便可获得结晶速度变化数据,从而实现精确控制;步骤4:坩埚下降的方式生长晶身,至晶体生长结束;步骤5:进行晶体的退火处理,退火温度1600~2000℃,退火时间100hr;步骤6:以10~60℃/h的速度缓慢降温;步骤7:炉内温度降至室温后,取出晶棒,加工。
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