[发明专利]一种超高压新相Cu2Sb合金晶体及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201210074831.4 申请日: 2012-03-21
公开(公告)号: CN102628113A 公开(公告)日: 2012-08-08
发明(设计)人: 于润泽;望贤成;孔盼盼;刘清青;靳常青 申请(专利权)人: 中国科学院物理研究所
主分类号: C22C9/00 分类号: C22C9/00;C22C1/04;C30B29/52;C30B1/12
代理公司: 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 11003 代理人: 尹振启
地址: 100190 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种超高压新相Cu2Sb合金晶体及其制备方法,该晶体坍塌四方相的空间群为P4/nmmz,晶格常数为a=3.8-3.9Å,c=5.9-6.0Å。本发明通过高压方法,将常压下的Cu2Sb合金晶体通过高压作用,发生结构转变,从而得到了一种新的坍塌四方相Cu2Sb合金。本发明为探究铁基超导体提供了可能。
搜索关键词: 一种 超高压 cu2sb 合金 晶体 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种超高压新相Cu2Sb合金晶体,其特征在于,该Cu2Sb合金晶体的晶体坍塌四方相的空间群为P4/nmmz,晶格常数为a=3.8-3.9Å,c=5.9-6.0Å。
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