[发明专利]一种超高压新相Cu2Sb合金晶体及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201210074831.4 申请日: 2012-03-21
公开(公告)号: CN102628113A 公开(公告)日: 2012-08-08
发明(设计)人: 于润泽;望贤成;孔盼盼;刘清青;靳常青 申请(专利权)人: 中国科学院物理研究所
主分类号: C22C9/00 分类号: C22C9/00;C22C1/04;C30B29/52;C30B1/12
代理公司: 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 11003 代理人: 尹振启
地址: 100190 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 超高压 cu2sb 合金 晶体 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.  一种超高压新相Cu2Sb合金晶体,其特征在于,该Cu2Sb合金晶体的晶体坍塌四方相的空间群为P4/nmmz,晶格常数为a=3.8-3.9?, c=5.9-6.0?。

2.  如权利要求1所述的超高压新相Cu2Sb合金晶体,其特征在于,所述坍塌四方相的存在的压力区间是8-30GPa。

3.  如权利要求1所述的超高压新相Cu2Sb合金晶体,其特征在于,所述坍塌四方相中Sb-Cu-Sb键角分别达到118o和93.5o

4.  一种上述超高压新相Cu2Sb合金晶体的制备方法,其特征在于,该制备方法具体为:

1)在常压下,制备常压相的Cu2Sb 合金:将99.99%或以上纯度的Cu和Sb粉末以2:1的摩尔比在空气中混合、研磨、压片,然后密封在设定的温度条件下烧结,并进行保温处理,制得Cu2Sb常压相样品;

2)超高压条件下制备坍塌四方相的Cu2Sb合金:将Cu2Sb常压相样品在高压装置中进行高压新相制备,在压力区间8-30GPa下制得稳定的坍塌四方相Cu2Sb合金。

5. 如权利要求4所述的制备方法,其特征在于,所述步骤1)中烧结温度为540℃,保温时间为24小时。

6. 如权利要求5所述的制备方法,其特征在于,所述步骤1)在真空钛金属管中进行烧结。

7. 如权利要求4所述的制备方法,其特征在于,所述高压装置为金刚石压砧,高压封垫采用T301不绣钢片,传压介质是硅油;标压物质是红宝石,通过红宝石的荧光峰确定压力;利用原位高压同步辐射角散X射线对高压下所述Cu2Sb常压相样品进行衍射实验,得到Cu2Sb合金高压下的x光衍射谱,解衍射谱得到样品单胞体积随压力的变化。

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