[发明专利]用于AlN晶体生长的图形化衬底

摘要

用于AlN晶体生长的图形化衬底，涉及一种用于AlN晶体生长的图形化衬底。解决现有采用籽晶制备大尺寸AlN晶体的方法中，AlN籽晶成本高，SiC籽晶高温易分解影响AlN晶体质量的问题。图形化衬底是在衬底上嵌入均匀排布的图形单元，图形单元的形状为正六棱台，边长为a₂的上底面在衬底表面所在的平面上，下底面的边长为a₁，图形单元的高度为c₁，其中，a₁＝n₁a，c₁＝n₁c，a₂＝n₂a₁，a和c为六方AlN晶体的晶胞参数，0＜n₁≤15×10⁷，1＜n₂≤3。图形化衬底的制备工艺简单。生长出的AlN晶体具有直径尺寸大，缺陷密度低的优点。

主权项

1.用于AlN晶体生长的图形化衬底，其特征在于用于AlN晶体生长的图形化衬底是在衬底上嵌入均匀排布图形单元，图形单元的形状为正六棱台，边长为a₂的上底面在衬底表面所在的平面上，下底面的边长为a₁，图形单元的高度为c₁，其中，a_i＝n_ia，c₁＝n₁c，a₂＝n₂a₁，a和c为六方AlN晶体的晶胞参数，0＜n₁≤15×10⁷，1＜n₂≤3。