[发明专利]用于AlN晶体生长的图形化衬底

权利要求书

1.用于AlN晶体生长的图形化衬底，其特征在于用于AlN晶体生长的图形化衬底是在衬底上嵌入均匀排布图形单元，图形单元的形状为正六棱台，边长为a₂的上底面在衬底表面所在的平面上，下底面的边长为a₁，图形单元的高度为c₁，其中，a_i＝n_ia，c₁＝n₁c，a₂＝n₂a₁，a和c为六方AlN晶体的晶胞参数，0＜n₁≤15×10⁷，1＜n₂≤3。

2.根据权利要求1所述的用于AlN晶体生长的图形化衬底，其特征在于n₁为整数，n₂为整数。

3.根据权利要求1或2所述的用于AlN晶体生长的图形化衬底，其特征在于用于AlN晶体生长的图形化衬底按正六边形、菱形和正三角形中一种或者其中几种的组合的方式均匀排布图形单元。

4.根据权利要求1或2所述的用于AlN晶体生长的图形化衬底，其特征在于用于AlN晶体生长的图形化衬底中相邻图形单元的中心的距离a₃＝n₃a₁，0＜n₃≤10。

5.根据权利要求1或2所述的用于AlN晶体生长的图形化衬底，其特征在于所述衬底为W衬底、Ta衬底、WC衬底或者TaC衬底。

6.根据权利要求1或2所述的用于AlN晶体生长的图形化衬底，其特征在于所述衬底的规格为：直径为1英寸×厚度为1～8mm，0＜n₁≤5×10⁷。

7.根据权利要求1或2所述的用于AlN晶体生长的图形化衬底，其特征在于所述衬底的规格为：直径为2英寸×厚度为2～16mm，0＜n₁≤10×10⁷。

8.根据权利要求1或2所述的用于AlN晶体生长的图形化衬底，其特征在于所述衬底的规格为：直径为3英寸×厚度为3～24mm，0＜n₁≤15×10⁷。