[发明专利]一种无氢掺硅类金刚石膜层及其制备方法有效
| 申请号： | 201210072931.3 | 申请日： | 2012-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN102586735A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 胡芳;代明江;林松盛;侯惠君;韦春贝;石倩;张贺勇 | 申请（专利权）人： | 广州有色金属研究院 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/35 |
| 代理公司： | 广东世纪专利事务所 44216 | 代理人： | 千知化 |
| 地址： | 510651 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种无氢掺硅类金刚石膜层。其特征是依次由基体(1)；金属层(2)；金属碳化物层(3)；掺硅类金刚石膜层(4)构成。制备方法是采用直流磁控溅射石墨靶、中频磁控溅射碳化硅靶或硅靶以及离子源辅助沉积，依次氩离子清洗基体；沉积金属层和金属碳化物层；沉积无氢掺硅类金刚石膜层。与现有技术相比，本发明方法所制备的膜层具有摩擦系数和磨损率低、膜层质量好的特点。本发明膜层制备工艺简单，重复性好，可制备出不同含硅量的无氢掺硅类金刚石膜层，能满足湿度变化等特定环境下精密仪器传动部件精度的要求，提高其使用的精度、灵敏度和可靠性，适用于超集成电路、医用器械、光学元件、雷达、航空飞行器等。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 无氢掺硅类 金刚石 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种无氢掺硅类金刚石膜层，其特征是所述的无氢掺硅类金刚石膜层依次由基体(1)；金属层(2)；金属碳化物层(3)；掺硅类金刚石膜层(4)构成。
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