[发明专利]半导体芯片和半导体器件有效
| 申请号： | 201210071075.X | 申请日： | 2012-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN102842597A | 公开（公告）日： | 2012-12-26 |
| 发明（设计）人： | 津村一道;东和幸 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;王英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体芯片和半导体器件。根据一个实施例，一种半导体芯片包括半导体衬底、过孔和绝缘层。半导体衬底具有第一主表面和在所述第一主表面的相对侧的第二主表面。半导体衬底设置有包括元件和布线的电路部，以及在第一主表面一侧上围绕所述电路部的保护环结构部。在从半导体衬底的第一主表面一侧延伸到第二主表面一侧的通路孔中设置过孔。在从半导体衬底的第一主表面一侧延伸到第二主表面一侧的第一沟槽中设置绝缘层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 芯片 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体芯片，包括：半导体衬底，具有第一主表面和在所述第一主表面的相对侧的第二主表面，所述半导体衬底设置有包括元件和布线的电路部以及在所述第一主表面一侧上围绕所述电路部的保护环结构部；过孔，设置在从所述半导体衬底的所述第一主表面一侧延伸到所述第二主表面一侧的通路孔中；以及绝缘层，设置在从所述半导体衬底的所述第一主表面一侧延伸到所述第二主表面一侧的第一沟槽中，如在垂直于所述半导体衬底的所述第一主表面的方向上所观察的，所述通路孔位于包括所述电路部的电路区域中，所述第一沟槽位于围绕所述电路部且包括所述保护环结构部的外围区域中，并且所述第一沟槽在平行于所述第一主表面的方向上的宽度比所述通路孔在所述平行方向上的宽度窄。
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