[发明专利]半导体工艺废水之处理方法无效
| 申请号： | 201210067249.5 | 申请日： | 2012-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN103011492A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 金光祖;陈秋美 | 申请（专利权）人： | 士林电机厂股份有限公司;金光祖 |
| 主分类号： | C02F9/14 | 分类号： | C02F9/14 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 吴大建;刘华联 |
| 地址： | 中国台湾台北*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种由数股半导体工艺废水汇集成的综合废水的处理方法，该综合废水不含NH4F/HF缓冲的氧化物蚀刻液(Buffered Oxide Etch solution)废水(简称NH4F/F-废水)，而基本上含有氧化剂、有机物、无机物、及氨氮杂质。首先对该综合废水进行去氧化剂处理；接着以无氧微生物分解方式进行处理，使其中所含的杂质被部份分解；再以有氧微生物分解方式进行处理，使残留于其中的有机物及氨氮被进一步分解，而得到可回收或排放的废水。本发明方法进一步包含对NH4OH淋洗废水、TMAH黄光工艺废水、或NH4F/F-废水进行个别处理的步骤，及将此等个别处理所得到废水整合于该综合废水的处理方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 工艺 废水 处理 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体工艺废水的处理方法，包含下列步骤：a)将由数股半导体工艺废水汇集而成含有氧化剂、有机物杂质及无机物杂质的综合废水进行去氧化剂处理，该综合废水实质上不含NH4F/F‑废水；b)以无氧微生物分解方式处理来自步骤a)的氧化剂含量被降低的废水，使得其中所含的杂质部份分解；及c)以有氧微生物分解方式处理来自步骤b)的杂质含量被降低的废水，使得残留于其中的杂质被进一步分解，而得到一第一回收或排放水。
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