[发明专利]半导体工艺废水之处理方法

权利要求书

1.一种半导体工艺废水的处理方法，包含下列步骤：

a)将由数股半导体工艺废水汇集而成含有氧化剂、有机物杂质及无机物杂质的综合废水进行去氧化剂处理，该综合废水实质上不含NH₄F/F^-废水；

b)以无氧微生物分解方式处理来自步骤a)的氧化剂含量被降低的废水，使得其中所含的杂质部份分解；及

c)以有氧微生物分解方式处理来自步骤b)的杂质含量被降低的废水，使得残留于其中的杂质被进一步分解，而得到一第一回收或排放水。

2.如权利要求1所述的方法，其进一步包含对NH₄OH淋洗废水或TMAH黄光工艺废水进行个别处理，其中

该NH₄OH淋洗废水被进行一脱气/吸收处理，其包含调整NH₄OH废水的pH值至大于等于10；持续对废水曝气一段时间，于是从废水中吹出NH₃，而得到氨氮含量降低的一第一部份处理水；及将从液面冒出的气体导入一内含吸收剂的吸气区，于是将气体中所含有的NH₃吸收于该吸收剂上；

该TMAH黄光工艺废水被进行一生物厌氧处理，包含将该TMAH黄光工艺废水导入一生物厌氧槽，并滞留于其中5-48小时而使TMAH被其中的厌氧微生物所分解，而排出一第二部份处理水，其中该槽中的废水的氧化还原电位为-200至-500mV；

该第一部份处理水及第二部份处理水被与上述步骤a)流出的氧化剂含量被降低的废水合并一同进行步骤b)及c)。

3.如权利要求1所述的方法，其进一步包含对NH₄OH淋洗废水或TMAH黄光工艺废水进行处理，其中

该NH₄OH淋洗废水被与上述步骤a)流出的氧化剂含量被降低的废水合并一同进行步骤b)及c)；

该TMAH黄光工艺废水被与上述步骤a)流出的氧化剂含量被降低的废水合并一同进行步骤b)及c)。

4.如权利要求2所述的方法，其进一步包含对NH₄F/F^-废水进行处理，其中，

该NH₄F/F^-废水被进行一脱气/吸收处理，包含调整NH₄F/F^-废水的pH值至大于等于10；持续对废水曝气一段时间，于是从废水中吹出NH₃；将从液面冒出的气体导入一内含吸收剂的吸气区，于是将气体中所含有的NH₃吸收于该吸收剂上；脱去部份氨氮的废水接着被进行去F^-处理，包含反渗透或加入CaCl₂，而得到一第二回收或排放水。

5.如权利要求4所述的方法，其中，

如果F^-浓度＞400ppm，则该去F^-处理包含加入CaCl₂，产生CaF₂的沉淀；固液分离，直接排放除去CaF₂沉淀的废水，此时其F^-浓度＜15ppm；

如果F^-浓度不大于400ppm，则该去F^-处理包含反渗透处理，得到的反渗透水被视为一第三回收或排放水，而所产生的含F^-离子的反渗透浓排端废水则藉由加入CaCl₂方式除去其中的F^-离子，再排出。

6.如权利要求4所述的方法，其中该半导体工艺中其它含F^-的废水与该脱去氨氮的废水一同进行该去F^-处理。

7.如权利要求4所述的方法，其中由上述步骤c)流出的第一回收或排放水的被分流一部份用来稀释该NH₄F/F^-废水，使其适合进行该脱气/吸收处理。

8.如权利要求2或4所述的方法，其中的NH₃吸收剂为磷酸、硫酸或水。