[发明专利]侧墙的形成方法和用侧墙定义图形结构的方法

摘要

本发明公开了一种侧墙的形成方法，包括步骤：在硅片上形成具有台阶结构的第一种材料图形；淀积第二种材料，第二种材料在第一种材料图形的台阶结构的侧面处形成一倒切形状；对第二种材料进行各向异性刻蚀并形成侧墙；侧墙的底部宽度为步骤二中第二种材料的倒切形状的底部宽度的0.9倍～1倍。本发明侧墙的形成方法能基本上消除刻蚀工艺对侧墙的厚度的影响，从而能提高侧墙宽度的均匀性和稳定性。本发明还公开了一种用侧墙定义图形结构的方法，由于获得的侧墙宽度具有高均匀性和高稳定性，最后能获得较小宽度的图形结构并能提高图形结构的精度和均匀性。

主权项

一种侧墙的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、在硅片上淀积第一种材料，采用光刻和刻蚀工艺形成具有台阶结构的第一种材料图形；步骤二、在所述第一种材料图形之上淀积第二种材料，所述第二种材料在所述第一种材料图形的台阶结构的侧面处形成一倒切形状，所述第二种材料的倒切形状的顶部宽度大于等于底部宽度的1.1倍；步骤三、对所述第二种材料进行各向异性刻蚀，将位于所述第一种材料图形的顶部和底部的所述第二种材料完全去除、将位于所述第一种材料图形的台阶结构的侧面处的所述第二种材料部分保留并形成侧墙；所述侧墙的底部宽度为步骤二中所述第二种材料的倒切形状的底部宽度的0.9倍～1倍。