[发明专利]侧墙的形成方法和用侧墙定义图形结构的方法

权利要求书

1.一种侧墙的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、在硅片上淀积第一种材料，采用光刻和刻蚀工艺形成具有台阶结构的第一种材料图形；

步骤二、在所述第一种材料图形之上淀积第二种材料，所述第二种材料在所述第一种材料图形的台阶结构的侧面处形成一倒切形状，所述第二种材料的倒切形状的顶部宽度大于等于底部宽度的1.1倍；

步骤三、对所述第二种材料进行各向异性刻蚀，将位于所述第一种材料图形的顶部和底部的所述第二种材料完全去除、将位于所述第一种材料图形的台阶结构的侧面处的所述第二种材料部分保留并形成侧墙；所述侧墙的底部宽度为步骤二中所述第二种材料的倒切形状的底部宽度的0.9倍～1倍。

2.如权利要求1所述的侧墙的形成方法，其特征在于：步骤一中所述第一种材料图形的台阶结构为一倒切形状，该倒切形状使所述第一种材料图形的顶部宽度大于或等于底部宽度的1.1倍。

3.如权利要求1所述的侧墙的形成方法，其特征在于：在步骤一中所述第一种材料图形的台阶结构的顶部侧面形成有凸出的部分，该凸出的部分使所述第一种材料图形的顶部宽度大于或等于底部宽度的1.1倍。

4.一种用侧墙定义图形结构的方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、在硅片上淀积第一种材料；

步骤二、在所述第一种材料上淀积一层牺牲膜，采用光刻和刻蚀工艺形成具有台阶结构的牺牲膜图形；

步骤三、在所述牺牲膜图形之上淀积第二种材料，所述第二种材料在所述牺牲膜图形的台阶结构的侧面处形成一倒切形状，所述第二种材料的倒切形状的顶部宽度大于等于底部宽度的1.1倍；

步骤四、对所述第二种材料进行各向异性刻蚀，将位于所述牺牲膜图形的顶部和底部的所述第二种材料完全去除、将位于所述牺牲膜图形的台阶结构的侧面处的所述第二种材料部分保留并形成侧墙；所述侧墙的底部宽度为步骤三中所述第二种材料的倒切形状的底部宽度的0.9倍～1倍；

步骤五、将所述牺牲膜完全去除；

步骤六、以所述侧墙为保护，对所述第一种材料进行刻蚀，将未被所述侧墙保护的所述第一种材料完全去除；

步骤七、去除所述侧墙，形成所述第一种材料的图形结构。

5.如权利要求4所述的用侧墙定义图形结构的方法，其特征在于：步骤七中形成的所述第一种材料的图形结构的宽度大于或等于20埃。

6.如权利要求4所述的用侧墙定义图形结构的方法，其特征在于：步骤二中所述牺牲膜图形的台阶结构为一倒切形状，该倒切形状使所述牺牲膜图形的顶部宽度大于或等于底部宽度的1.1倍；或者，在步骤二中所述牺牲膜图形的台阶结构的顶部侧面形成有凸出的部分，该凸出的部分使所述牺牲膜图形的顶部宽度大于或等于底部宽度的1.1倍。

7.如权利要求4所述的用侧墙定义图形结构的方法，其特征在于：步骤五中的去除所述牺牲膜的工艺为干法刻蚀工艺或湿法刻蚀工艺，该干法刻蚀工艺或湿法刻蚀工艺要求保证所述第一种材料和所述第二种材料不被刻蚀掉。

8.如权利要求4所述的用侧墙定义图形结构的方法，其特征在于：步骤六中的刻蚀所述第一种材料的工艺为干法刻蚀工艺或湿法刻蚀工艺，该干法刻蚀工艺或湿法刻蚀工艺要求保证所述第二种材料不被刻蚀掉。

9.如权利要求4所述的用侧墙定义图形结构的方法，其特征在于：步骤七中的去除所述侧墙的工艺为干法刻蚀工艺或湿法刻蚀工艺，该干法刻蚀工艺或湿法刻蚀工艺要求保证所述第一种材料不被刻蚀掉。

10.如权利要求4所述的用侧墙定义图形结构的方法，其特征在于：所述第一种材料是多晶硅或金属，所述牺牲膜是氧化膜，所述第二种材料是氮化膜；或者，所述第一种材料是多晶硅或金属，所述牺牲膜是氮化膜，所述第二种材料是氧化膜。