[发明专利]SiGe-HBT晶体管及其制备方法

摘要

本发明提供一种SiGe-HBT晶体管及其制备方法，属于微电子与固体电子领域。该SiGe异质结双晶体管的制备方法通过采用离子注入技术，在集电区与空间电荷区重叠区域中形成掺杂浓度相等的P+层与N+层组成的叠层，所述P+层或N+层的掺杂浓度值呈高斯分布，且其浓度值小于基区的掺杂浓度值，大于集电区的掺杂浓度值。本发明的方案不仅可以改变局部势垒区电场值大小，还可以改变势垒区电场的分布情况，在保证不牺牲渡越时间、截止频率以及最大振荡频率的情况下，提高基极-集电极击穿电压，或者在保证击穿电压不恶化的情况下，增加集电区掺杂浓度，提高空间电荷区渡越时间和截止频率。

主权项

一种SiGe‑HBT晶体管的制备方法，其特征在于，包括：提供一半导体衬底，在该衬底上制备出次集电区，并在所述次集电区上形成藉由浅槽隔离区隔离出的集电区；依据预设的集电区和基区的掺杂浓度确定出空间电荷区的宽度及其在所述集电区中的位置；利用离子注入技术在所述的集电区和空间电荷区重叠区域中形成掺杂浓度相等的P+层与N+层组成的叠层；在所述集电区上制备包括本征SiGe层、基区P‑SiGe:C层、以及重掺杂的P+多晶硅外基区层的基区，以在所述集电区和基区的接触界面形成一集电极‑基极结空间电荷区，且在所述P+多晶硅外基区层上制备出发射极盖帽层和发射区；分别在所述的基区、发射区、次集电区分别上制备出基极接触、发射极接触、集电极接触。