[发明专利]SiGe-HBT晶体管及其制备方法

权利要求书

1.一种SiGe-HBT晶体管的制备方法，其特征在于，包括：

提供一半导体衬底，在该衬底上制备出次集电区，并在所述次集电区上形成藉由浅槽隔离区隔离出的集电区；

依据预设的集电区和基区的掺杂浓度确定出空间电荷区的宽度及其在所述集电区中的位置；

利用离子注入技术在所述的集电区和空间电荷区重叠区域中形成掺杂浓度相等的P⁺层与N⁺层组成的叠层；

在所述集电区上制备包括本征SiGe层、基区P-SiGe:C层、以及重掺杂的P⁺多晶硅外基区层的基区，以在所述集电区和基区的接触界面形成一集电极-基极结空间电荷区，且在所述P⁺多晶硅外基区层上制备出发射极盖帽层和发射区；

分别在所述的基区、发射区、次集电区分别上制备出基极接触、发射极接触、集电极接触。

2.根据权利要求1所述的SiGe-HBT晶体管的制备方法，其特征在于，所述P⁺层中注入的离子为磷或砷。

3.根据权利要求1所述的SiGe-HBT晶体管的制备方法，其特征在于，所述N⁺层中注入的离子为硼。

4.根据权利要求1所述的SiGe-HBT晶体管的制备方法，其特征在于，所述掺杂浓度值范围为10¹⁷cm^-3～10¹⁸cm^-3，且所述掺杂浓度值呈高斯分布。

5.根据权利要求1所述的SiGe-HBT晶体管的制备方法，其特征在于，所述P⁺层或N⁺层的掺杂浓度值小于基区P-SiGe:C层的掺杂浓度值。

6.根据权利要求1所述的SiGe-HBT晶体管的制备方法，其特征在于，所述P⁺层或N⁺层的掺杂浓度值大于集电区的掺杂浓度值。

7.根据权利要求1所述的SiGe-HBT晶体管的制备方法，其特征在于，所述P⁺层和N⁺层的厚度为10nm～90nm。

8.一种SiGe-HBT晶体管，其特征在于，包括：

次集电区及形成于所述次集电区上且由浅槽隔离区隔离出的集电区，且所述次集电区上形成有集电极接触；

基区，形成于所述集电区之上，包括本征SiGe层、重掺杂的P⁺多晶硅外基区层以及位于所述的本征SiGe层和重掺杂的P⁺多晶硅外基区层之间的基区P-SiGe:C层，所述集电区和基区的接触界面形成有一集电极-基极结空间电荷区，且所述重掺杂的P⁺多晶硅外基区层上形成有基极接触；

发射区，形成于所述P⁺多晶硅外基区层和发射极盖帽层上，且形成有发射极接触；

所述的集电区和空间电荷区重叠区域中形成有掺杂浓度相等的P⁺层与N⁺层组成的叠层。

9.根据权利要求8所述的SiGe-HBT晶体管，其特征在于，所述P⁺层中注入的离子为磷或砷。

10.根据权利要求8所述的SiGe-HBT晶体管，其特征在于，所述N⁺层中注入的离子为硼。

11.根据权利要求8所述的SiGe-HBT晶体管，其特征在于，所述P⁺层和N⁺层的掺杂浓度值范围为10¹⁷cm^-3～10¹⁸cm^-3，且所述掺杂浓度值呈高斯分布。

12.根据权利要求8所述的SiGe-HBT晶体管，其特征在于，所述P⁺层或N⁺层的掺杂浓度值小于基区P-SiGe:C层的掺杂浓度值。

13.根据权利要求8所述的SiGe-HBT晶体管，其特征在于，所述P⁺层或N⁺层的掺杂浓度值大于集电区的掺杂浓度值。

14.根据权利要求8所述的SiGe-HBT晶体管，其特征在于，所述P⁺层或N⁺层的厚度为10nm～90nm。