[发明专利]采用KOH溶液的硅基MEMS器件湿法释放方法有效
| 申请号： | 201210062362.4 | 申请日： | 2012-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN103303858A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 尚海平;焦斌斌;卢迪克;李志刚;刘瑞文;陈大鹏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种采用KOH溶液的硅基MEMS器件湿法释放方法，硅基MEMS器件具有硅衬底，硅衬底的上表面有已经制备完成的电路结构层，该方法包括以下步骤：对硅衬底的下表面进行机械抛光，在硅衬底的下表面形成有机械损伤层；先采用光刻胶覆盖于电路结构层上，接着使用硅腐蚀液去除机械损伤层，然后去除光刻胶；在去除了所述机械损伤层后的硅衬底的下表面生长抗KOH溶液腐蚀膜并将其图形化；最后采用水浴加热的KOH溶液完成湿法释放工艺。本发明利用现有设备、工艺流程简单、节约工艺时间、生产成本低廉，并与传统微细加工工艺兼容的采用KOH溶液的硅基MEMS器件湿法释放工艺，从而进一步提高生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 koh 溶液 mems 器件 湿法 释放 方法 | ||
【主权项】：
一种采用KOH溶液的硅基MEMS器件湿法释放方法，所述硅基MEMS器件具有硅衬底，所述硅衬底的上表面有已经制备完成的电路结构层，其特征是：该方法包括以下步骤：对所述硅衬底的下表面进行机械抛光，在所述硅衬底的下表面形成有机械损伤层；先采用光刻胶覆盖于所述电路结构层上，接着使用硅腐蚀液去除所述机械损伤层，然后去除所述光刻胶；在去除了所述机械损伤层后的硅衬底的下表面生长抗KOH溶液腐蚀膜并将其图形化；最后采用水浴加热的KOH溶液完成湿法释放工艺。
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