[发明专利]采用KOH溶液的硅基MEMS器件湿法释放方法有效
| 申请号： | 201210062362.4 | 申请日： | 2012-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN103303858A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 尚海平;焦斌斌;卢迪克;李志刚;刘瑞文;陈大鹏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 采用 koh 溶液 mems 器件 湿法 释放 方法 | ||
1.一种采用KOH溶液的硅基MEMS器件湿法释放方法，所述硅基MEMS器件具有硅衬底，所述硅衬底的上表面有已经制备完成的电路结构层，其特征是：该方法包括以下步骤：
对所述硅衬底的下表面进行机械抛光，在所述硅衬底的下表面形成有机械损伤层；
先采用光刻胶覆盖于所述电路结构层上，接着使用硅腐蚀液去除所述机械损伤层，然后去除所述光刻胶；
在去除了所述机械损伤层后的硅衬底的下表面生长抗KOH溶液腐蚀膜并将其图形化；
最后采用水浴加热的KOH溶液完成湿法释放工艺。
2.如权利要求1所述的方法，其特征是：所述机械损伤层厚度为10μm～20μm。
3.如权利要求1所述的方法，其特征是：所述光刻胶的厚度为2μm～7μm。
4.如权利要求1所述的方法，其特征是：所述硅腐蚀液为硝酸(HNO3)、氢氟酸(HF)和冰醋酸(CH3COOH)混合液，其中HNO3∶HF∶CH3COOH＝30～160∶10∶10～100。
5.如权利要求1或3所述的方法，其特征是：所述光刻胶是采用丙酮去除。
6.如权利要求1所述的方法，其特征是：所述抗KOH溶液腐蚀膜为PE SiNx膜，通过淀积方法生成。
7.如权利要求6所述的方法，其特征是：所述抗KOH溶液腐蚀膜的图形化采用曝光工艺和干法刻蚀工艺，选择性去除PE SiNx膜。
8.如权利要求7所述的方法，其特征是：所述KOH溶液浓度为质量比为33％～50％，所述水浴加热的温度为70℃～80℃，加热时间为4～6小时。
9.如权利要求8所述的方法，其特征是：所述加热时间为5小时。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210062362.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
