[发明专利]多晶硅熔丝的形成方法无效
| 申请号： | 201210061153.8 | 申请日： | 2012-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN102569184A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 青云;刘建华;邵凯 | 申请（专利权）人： | 上海先进半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 200233 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种多晶硅熔丝的形成方法，包括：提供一衬底，所述衬底具有隔离结构；在所述衬底表面热氧化一层氧化硅；在所述氧化硅及隔离结构表面沉积多晶硅，对所述多晶硅进行掺杂；刻蚀所述多晶硅形成两头宽中间窄的多晶硅熔丝，所述多晶硅熔丝位于隔离结构上方的部分为突起；在所述多晶硅熔丝、隔离结构及氧化硅表面沉积介质层并平坦化所述介质层；涂覆光刻胶，光刻形成与所述突起相对应的第一窗口，所述第一窗口的宽度大于所述突起的宽度；刻蚀去除所述第一窗口内的部分介质层，在所述介质层中形成第二窗口；去除光刻胶。本发明采用衬底上的隔离结构形成呈突起的多晶硅熔丝，在同样熔断电流和熔断时间条件下使得突起处的多晶硅熔丝更容易烧断。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 硅熔丝 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种多晶硅熔丝的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一衬底，所述衬底具有隔离结构；在所述衬底表面热氧化一层氧化硅；在所述氧化硅及隔离结构表面沉积多晶硅，对所述多晶硅进行掺杂；刻蚀所述多晶硅形成两头宽中间窄的多晶硅熔丝，所述多晶硅熔丝位于隔离结构上方的部分为突起；在所述多晶硅熔丝、隔离结构及氧化硅表面沉积介质层并平坦化所述介质层；在所述介质层上涂覆光刻胶，光刻形成与所述突起相对应的第一窗口，所述第一窗口的宽度大于所述突起的宽度；刻蚀去除所述第一窗口内的部分介质层，在所述介质层中形成第二窗口；去除光刻胶。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海先进半导体制造股份有限公司，未经上海先进半导体制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210061153.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：易于分离的连接器
- 下一篇：一种煤层巷道锚杆支护预紧力保障方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
