[发明专利]多晶硅熔丝的形成方法

权利要求书

1.一种多晶硅熔丝的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一衬底，所述衬底具有隔离结构；

在所述衬底表面热氧化一层氧化硅；

在所述氧化硅及隔离结构表面沉积多晶硅，对所述多晶硅进行掺杂；

刻蚀所述多晶硅形成两头宽中间窄的多晶硅熔丝，所述多晶硅熔丝位于隔离结构上方的部分为突起；

在所述多晶硅熔丝、隔离结构及氧化硅表面沉积介质层并平坦化所述介质层；

在所述介质层上涂覆光刻胶，光刻形成与所述突起相对应的第一窗口，所述第一窗口的宽度大于所述突起的宽度；

刻蚀去除所述第一窗口内的部分介质层，在所述介质层中形成第二窗口；

去除光刻胶。

2.根据权利要求1所述的多晶硅熔丝的形成方法，其特征在于：所述隔离结构的高度为2000-20000埃。

3.根据权利要求1所述的多晶硅熔丝的形成方法，其特征在于：所述氧化硅的厚度为30-500埃。

4.根据权利要求1所述的多晶硅熔丝的形成方法，其特征在于：在所述对多晶硅进行掺杂步骤中还包括采用硅化工艺形成硅化物。

5.根据权利要求1所述的多晶硅熔丝的形成方法，其特征在于：所述多晶硅熔丝中间窄的区域为熔断区，宽度为0.18-1.5微米。

6.根据权利要求1所述的多晶硅熔丝的形成方法，其特征在于：所述第二窗口内突起上方的介质层厚度为500-2000埃。