[发明专利]场效应晶体管气体传感器及其制造方法无效
| 申请号： | 201210060304.8 | 申请日： | 2012-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN103308584A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 梁圣法;李冬梅;刘明;谢常青;陈鑫;詹爽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G01N27/414 | 分类号： | G01N27/414 |
| 代理公司： | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人： | 朱海波 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种新型场效应晶体管气体传感器，该传感器包括至少两个场效应晶体管，所述至少两个场效应晶体管并列排布，串接排布，或者环状排布，并且以共源、共漏或共源且共漏中一种或者它们的组合连接，其中至少一个场效应晶体管的栅电极作为参考栅电极而不具有敏感膜，其余场效应晶体管的栅电极作为测试栅电极而具有敏感膜。同时还提供了一种制作所述传感器的方法和使用所述传感器进行测试的方法。本发明提供的新型场效应晶体管气体传感器，可以通过改变场效应晶体管的连接方式、排布、参考栅电极和测试栅电极的排列方式以及敏感膜的材料组成，对不同的物质进行检测，且具有功耗低、便于设计加工、物理稳定性好、检测范围灵活多变的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 气体 传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种场效应晶体管气体传感器，包括至少两个场效应晶体管，所述至少两个场效应晶体管并列排布，串接排布，或者环状排布，并且以共源、共漏或共源且共漏中一种或者它们的组合连接，其中至少一个场效应晶体管的栅电极作为参考栅电极而不具有敏感膜，其余场效应晶体管的栅电极作为测试栅电极而具有敏感膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210060304.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
