[发明专利]场效应晶体管气体传感器及其制造方法

权利要求书

1.一种场效应晶体管气体传感器，包括至少两个场效应晶体管，所述至少两个场效应晶体管并列排布，串接排布，或者环状排布，并且以共源、共漏或共源且共漏中一种或者它们的组合连接，其中至少一个场效应晶体管的栅电极作为参考栅电极而不具有敏感膜，其余场效应晶体管的栅电极作为测试栅电极而具有敏感膜。

2.根据权利要求1所述的传感器，其中至少两个测试栅电极具有不同的敏感膜。

3.根据权利要求1所述的传感器，所述场效应晶体管平面尺寸大小一致。

4.根据权利要求1到3中任一项所述的传感器，所述场效应晶体管的栅电极为矩形，其长和宽的尺寸在200～500微米之间。

5.根据权利要求1所述的传感器，所述测试栅电极包括金属层和敏感膜，其中金属层的材料为金、铂和钯中的一种或者它们的组合；并且敏感膜的材料包括金属、金属氧化物、有机敏感材料、特殊离子中的一种或者它们的组合。

6.根据权利要求5所述的传感器，所述金属层的厚度在50～500埃之间。

7.一种制作场效应晶体管气体传感器的方法，包括：

a)形成至少两个场效应晶体管，所述至少两个场效应晶体管并列排布，串接排布，或者环状排布，并且共源、共漏或共源且共漏，其中将所述至少两个场效应晶体管的栅电极形成为参考栅电极，并在其上形成保护层；

b)去除至少一个场效应晶体管的保护层和参考栅电极以露出栅介质层；

c)在露出的栅介质层上形成金属层，并进行高温退火处理；

d)在所述金属层上形成敏感膜。

8.根据权利要求7所述的方法，在步骤c)中，金属层所采用的材料为金、铂或者钯中的一种或者它们的组合。

9.根据权利要求7所述的方法，在步骤d)中，采用金属、金属氧化物、有机敏感材料、特殊离子中的一种或者它们的组合作为敏感膜的材料。

10.根据权利要求7所述的方法，在步骤c)中，高温退火的时间为一个小时左右。

11.根据权利要求7所述的方法，在步骤c)中，高温退火的温度小于800℃。

12.一种使用根据权利要求1的传感器进行测量的方法，其中通过分时控制参考栅电极和测试栅电极对敏感物质进行测量。