[发明专利]一种GaN基LED以及制造GaN基LED的方法有效
| 申请号： | 201210059091.7 | 申请日： | 2012-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN103311379A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 王强;浦荣生;余志炎;李国琪 | 申请（专利权）人： | 无锡华润华晶微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/38 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 徐小会;王忠忠 |
| 地址： | 214028 江苏省无锡市国*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种GaN基LED以及制造GaN基LED的方法。该制造GaN基LED的方法包括：（a）在衬底上依次形成n型GaN、多量子阱和p型GaN；（b）在p型GaN上形成透明导电层；（c）对透明导电层、p型GaN和多量子阱的一部分进行台面刻蚀，至露出n型GaN的一部分；（d）在透明导电层和n型GaN的露出的部分上形成氧化物保护层；（e）在未进行台面刻蚀的位置刻蚀氧化物保护层以露出透明导电层的一部分，在进行了台面刻蚀的位置刻蚀氧化物保护层以露出n型GaN的一部分；（g）分别在粗糙表面和所露出的n型GaN的部分上形成p电极和n电极。利用本发明，可以减少掉电极的机率和程度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan led 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造GaN基LED的制备方法，其特征在于，所述方法包括：（a）在衬底上依次形成n型GaN、多量子阱和p型GaN；（b）在所述p型GaN上形成透明导电层；（c）对所述透明导电层、所述p型GaN和所述多量子阱的一部分进行台面刻蚀，至露出所述n型GaN的一部分；（d）在所述透明导电层和所述n型GaN的露出的部分上形成氧化物保护层；（e）在未进行台面刻蚀的位置刻蚀所述氧化物保护层以露出所述透明导电层的一部分，在进行了台面刻蚀的位置刻蚀所述氧化物保护层以露出所述n型GaN的一部分；（f）在所露出的所述透明导电层的表面上形成粗糙表面；（g）分别在所述粗糙表面和所露出的所述n型GaN的部分上形成p电极和n电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡华润华晶微电子有限公司，未经无锡华润华晶微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210059091.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种氮化镓基发光二极管及其外延生长方法
- 下一篇：一种聚光光伏的匀光散热器件
