[发明专利]一种GaN基LED以及制造GaN基LED的方法

权利要求书

1.一种制造GaN基LED的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

（a）在衬底上依次形成n型GaN、多量子阱和p型GaN；

（b）在所述p型GaN上形成透明导电层；

（c）对所述透明导电层、所述p型GaN和所述多量子阱的一部分进行台面刻蚀，至露出所述n型GaN的一部分；

（d）在所述透明导电层和所述n型GaN的露出的部分上形成氧化物保护层；

（e）在未进行台面刻蚀的位置刻蚀所述氧化物保护层以露出所述透明导电层的一部分，在进行了台面刻蚀的位置刻蚀所述氧化物保护层以露出所述n型GaN的一部分；

（f）在所露出的所述透明导电层的表面上形成粗糙表面；

（g）分别在所述粗糙表面和所露出的所述n型GaN的部分上形成p电极和n电极。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤（e）中，在未进行台面刻蚀的位置刻蚀所述氧化物保护层以形成不贯穿所述透明导电层的凹槽。

3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，在步骤（f）中，利用干法刻蚀或者湿法刻蚀对所露出的所述透明导电层的表面进行粗化处理以形成粗糙表面。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，在湿法刻蚀中利用粗化液对所述透明导电层进行处理。

5.如权利要求3所述的方法，其特征在于，步骤f还包括在形成所述粗糙表面之后利用氧等离子体和去离子水对粗糙表面进行清洁。

6.一种GaN基LED，其特征在于，所述LED包括：

衬底；

在所述衬底上的n型GaN；

在所述n型GaN的预定区域上的多量子阱；

在所述多量子阱上的p型GaN；

在所述p型GaN上的透明导电层，在所述透明导电层中具有底面粗糙的凹槽；

部分形成在所述透明导电层的凹槽中的p电极； 

形成在所述n型GaN上的n电极；以及

形成在所述透明导电层和所述n型GaN的除p、n电极之外的部分上的氧化物保护层。

7.如权利要求6所述的GaN基LED，其特征在于：所述n电极贯穿所述氧化物保护层形成于所述n型GaN上。

8.如权利要求6所述的GaN基LED，其特征在于：所述LED在所述n电极一端具有台面结构，所述氧化物保护层形成于所述台面结构上。

9.如权利要求6-8之一所述的GaN基LED，其特征在于：所述凹槽不贯穿所述透明导电层。