[发明专利]高压晶体管有效
| 申请号： | 201210059045.7 | 申请日： | 2012-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN103311293B | 公开（公告）日： | 2017-04-05 |
| 发明（设计）人： | 周地宝 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 董巍,顾珊 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种高压晶体管，包括衬底；在所述衬底中形成的第一阱区和第二阱区，所述第一阱区具有第一掺杂类型(N型或P型)，所述第二阱区具有与所述第一掺杂类型相对的第二掺杂类型(P型或N型)；位于所述第一阱区中的源极和位于所述第二阱区中的漏极；以及在所述衬底上位于所述源极和所述漏极之间的栅极，其中，所述第一阱区和所述第二阱区间隔预定距离，以形成缓冲沟道，其中所述缓冲沟道位于所述栅极的下方。本发明提供的高压晶体管通过设置缓冲沟道不但能够降低第一阱区和第二阱区交界处的PN结漏电流，减小结电容，增大源漏击穿电压，还能够改善热载流子注入现象。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 晶体管 | ||
【主权项】：
一种高压晶体管，其特征在于，包括：衬底；在所述衬底中形成的第一阱区和第二阱区，所述第一阱区具有第一掺杂类型，所述第二阱区具有与所述第一掺杂类型相对的第二掺杂类型；位于所述第一阱区中的源极和位于所述第二阱区中的漏极；以及在所述衬底上位于所述源极和所述漏极之间的栅极，其中，所述第一阱区和所述第二阱区间隔预定距离，以形成缓冲沟道，其中所述缓冲沟道位于所述栅极的下方，所述栅极的下方是指从所述栅极的上方正投影所覆盖的栅极下方的区域，且在所述缓冲沟道的区域内未执行掺杂工艺。
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