[发明专利]高压晶体管有效
| 申请号： | 201210059045.7 | 申请日： | 2012-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN103311293B | 公开（公告）日： | 2017-04-05 |
| 发明（设计）人： | 周地宝 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 董巍,顾珊 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高压 晶体管 | ||
1.一种高压晶体管，其特征在于，包括：
衬底；
在所述衬底中形成的第一阱区和第二阱区，所述第一阱区具有第一掺杂类型，所述第二阱区具有与所述第一掺杂类型相对的第二掺杂类型；
位于所述第一阱区中的源极和位于所述第二阱区中的漏极；以及
在所述衬底上位于所述源极和所述漏极之间的栅极，
其中，所述第一阱区和所述第二阱区间隔预定距离，以形成缓冲沟道，其中所述缓冲沟道位于所述栅极的下方。
2.根据权利要求1所述的高压晶体管，其特征在于，所述高压晶体管与传统的高压晶体管的尺寸相同。
3.根据权利要求2所述的高压晶体管，其特征在于，所述缓冲沟道是在保证所述高压晶体管的尺寸不增大的前提下使所述第一阱区和所述第二阱区的宽度分别缩小所述预定距离的二分之一得到的。
4.根据权利要求1所述的高压晶体管，其特征在于，所述预定距离为20-100nm。
5.根据权利要求1所述的高压晶体管，其特征在于，所述源极和所述漏极之间且靠近所述漏极处形成有隔离结构。
6.根据权利要求5所述的高压晶体管，其特征在于，所述隔离结构为浅沟槽隔离结构。
7.根据权利要求1所述的高压晶体管，其特征在于，所述源极和所述栅极之间形成有轻掺杂区。
8.根据权利要求7所述的高压晶体管，其特征在于，所述轻掺杂区具有所述第二掺杂类型。
9.根据权利要求1所述的高压晶体管，其特征在于，所述源极和所述漏极具有所述第二掺杂类型。
10.根据权利要求1所述的高压晶体管，其特征在于，所述高压晶体管为横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管。
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