[发明专利]含氟光纤基材的制造方法及含氟光纤基材有效

专利信息
申请号: 201210058782.5 申请日: 2012-03-08
公开(公告)号: CN102674682A 公开(公告)日: 2012-09-19
发明(设计)人: 浦田佑平 申请(专利权)人: 信越化学工业株式会社
主分类号: C03B37/014 分类号: C03B37/014;C03C13/00
代理公司: 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 代理人: 江耀纯
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 经过由氯系气体环境中将多孔质玻璃堆积体加热处理并进行脱水的第一步骤、在含氟源的气体环境中进行加热处理并添加氟的第二步骤、在包含氟源的气体环境中用比上述第二步骤高的温度进行加热处理,透明玻璃化的第三步骤构成的烧结步骤制造含氟光纤基材的方法;其特征在于,所述第一步骤、第二步骤及第三步骤的处理温度分别依次为T1、T2、T3(k),上述第二步骤及第三步骤的氟源气体浓度,依次为C2、C3(%),当参数Q用下列数学式1表达的时候,参数Q的值为Q>0.14的范围的处理温度、氟源气体浓度来制造。[数学式1]Q=C2×exp(-T2/T1)+C3×exp(-T3/T2)。
搜索关键词: 光纤 基材 制造 方法
【主权项】:
一种含氟光纤基材的制造方法,经过由氯系气体环境中将多孔质玻璃堆积体加热处理而进行脱水的第一步骤、在含氟源的气体环境中进行加热处理而添加氟的第二步骤、在包含氟源的气体环境中用比上述第二步骤高的温度进行加热处理,透明玻璃化的第三步骤构成的烧结步骤制造含氟光纤基材的方法;其特征在于,所述第一步骤、第二步骤及第三步骤的处理温度分别依次为T1、T2、T3(k),上述第二步骤及第三步骤的氟源气体浓度,依次为C2、C3(%),当参数Q用下列数学式1表达的时候,参数Q的值为Q>0.14的范围的处理温度、氟源气体浓度来制造。Q=C2×exp(‑T2/T1)+C3×exp(‑T3/T2)    数学式1
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