[发明专利]含氟光纤基材的制造方法及含氟光纤基材

说明书

1.技术领域

本发明涉及含氟光纤基材的制造方法及含氟光纤基材。本发明尤其涉及添加了氟的光纤用玻璃基材的制造方法，特别涉及一种含氟光纤基材的制造方法及含氟光纤基材，在基材的径向上均匀添加氟，且抑制了在径向上的相对折射率差Δ的偏差。

2.背景技术

光纤为将传播光的芯外侧覆盖防止光泄漏的包层的构造，芯部分的折射率高于包层部分的折射率。光纤的特性根据折射率分布决定。光纤要想得到所希望的特性，一般在合成石英制的光纤中添加提高折射率的锗(Ge)，或者降低折射率的氟(F)。作为添加氟的方法，将用VAD法等制造的多孔质玻璃堆积体，在氟化合物气体环境中进行加热处理的方法。氟添加步骤之后，多孔质玻璃堆积体经提高处理温度再进行加热处理，通过透明玻璃化形成含氟光纤基材。

然而，当多孔质玻璃堆积体的外径大的情况下，和/或，目标氟添加浓度大的情况下，由于在前步骤添加的氟通过在透明玻璃化步骤的高温进行脱离、挥散，具有在光纤基材的径向浓度变得不均匀的问题。

本发明，以解决上述问题，可以在径向上均匀添加氟，目的是提供一种含氟光纤基材的制造方法及含氟光纤基材，在径向上的相对折射率差Δ的偏差的小。

发明内容

因此，在本说明书中包含的技术革新(新发明)的1个侧面中，以能够解决上述课题为目的，提供含氟光纤基材的制造方法及含氟光纤基材。该目的通过权利要求记载的特征的组合而达成。即，在本发明的第一方式中，提供含以下步骤的制造含氟光纤基材的方法，其特征在于，经过由氯系气体环境中加热处理多孔质玻璃堆积体而脱水的第一步骤、在含氟源的气体环境中加热处理来添加氟的第二步骤、在含氟源的气体环境中用比上述第二步骤还高的温度下加热处理而透明玻璃化的第三步骤构成的烧结步骤来制造含氟光纤基材，上述第一步骤、第二工及第三步骤的处理温度，依次为T₁、T₂、T₃(k)，上述第二步骤及第三步骤的氟源气体浓度，依次为C₂、C₃(％)，参数Q用下列数学式1表达的时候，以参数Q的值变为Q＞0.14范围的处理温度、氟源气体浓度。

[数学式1]Q＝C₂×exp(-T₂/T₁)+C₃×exp(-T₃/T₂)

在本发明的第二方式中，其特征为，以上述第二步骤的上述氟源气体浓度C₂不小于上述第三步骤的上述氟源气体浓度C₃的浓度制造含氟光纤基材。

在本发明的第三方式中，其特征为，以上述第一步骤的上述处理温度T₁不低于上述第二步骤的上述处理温度T₂以上的温度来制造含氟光纤基材。

在本发明的第四方式中，其特征为，以上述参数Q值成为0.27以上的处理温度、氟源气体浓度制造含氟光纤基材。

在本发明的第五方式中，其特征为，用上述制造方法得到的含氟光纤基材，以石英级别为基准的氟添加层的相对折射率差Δ的径向的变动系数(标准偏差；算术平均)是0.03以内。

还有，上述的发明概要，并非列举本发明必要的特征的全部，这些特征群的辅助组合也能成为发明。

附图说明

图1，是表示参数Q值和氟添加层的相对折射率差Δ的变动系数之关系的图表。

具体实施方式

以下，通过发明的实施方式对本发明的一个方面进行说明。以下的实施方式并不限定权利要求的范围。在实施方式中说明的特征组合并非全部为本发明所必须。