[发明专利]具有多阈值电压的FinFET有效
| 申请号： | 201210058769.X | 申请日： | 2012-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN103165674A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 郭博钦;李显铭 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;房岭梅 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种器件，包括：衬底、位于衬底上的半导体鳍以及位于半导体鳍的顶面和侧壁上的栅极介电层。栅极介电层将栅电极与半导体鳍间隔开。栅电极包括位于半导体鳍上方并且与其对准的顶部，以及位于介电层的侧壁部分上的侧壁部分。栅电极的顶部具有第一功函，栅电极的侧壁部分具有与第一功函不同的第二功函。本发明还提供了一种具有多阈值电压的FinFET。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 阈值 电压 finfet | ||
【主权项】：
一种器件，包括：衬底；半导体鳍，位于所述衬底上方；栅极介电层，位于所述半导体鳍的顶面和侧壁上；以及栅电极，通过所述栅极介电层与所述半导体鳍间隔开，其中，所述栅电极包括位于所述半导体鳍上方并且与所述半导体鳍对准的顶部以及位于所述介电层的侧壁部分上的侧壁部分，并且其中，所述栅电极的顶部具有第一功函，并且所述栅电极的侧壁部分具有与所述第一功函不同的第二功函。
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