[发明专利]具有多阈值电压的FinFET

权利要求书

1.一种器件，包括：

衬底；

半导体鳍，位于所述衬底上方；

栅极介电层，位于所述半导体鳍的顶面和侧壁上；以及

栅电极，通过所述栅极介电层与所述半导体鳍间隔开，其中，所述栅电极包括位于所述半导体鳍上方并且与所述半导体鳍对准的顶部以及位于所述介电层的侧壁部分上的侧壁部分，并且其中，所述栅电极的顶部具有第一功函，并且所述栅电极的侧壁部分具有与所述第一功函不同的第二功函。

2.根据权利要求1所述的器件，其中，所述第一功函高于所述第二功函。

3.根据权利要求1所述的器件，其中，所述第一功函低于所述第二功函。

4.根据权利要求1所述的器件，其中，所述栅电极包括：

第一金属层，位于所述半导体鳍上方并且与所述半导体鳍对准，其中，所述第一金属层不延伸到所述半导体鳍的侧面；以及

第二金属层，包括位于所述半导体鳍上方并且与所述半导体鳍对准的第一部分以及在所述半导体鳍的侧面上延伸的第二部分，其中，所述第一金属层和所述第二金属层包含不同的材料。

5.根据权利要求4所述的器件，还包括：保护层，位于所述介电层上方并且位于所述第一金属层和所述第二金属层下方，其中，所述第一金属层和所述第二金属层均接触所述保护层。

6.根据权利要求5所述的器件，其中，所述保护层包含氮化钛。

7.根据权利要求1所述的器件，其中，所述第一功函和所述第二功函具有大于大约0.2eV的差值。

8.一种器件，包括：

衬底；

半导体鳍，位于所述衬底上方，其中，所述半导体鳍是所述鳍式场效应晶体管(FinFET)的一部分；

栅极介电层，位于所述半导体鳍的顶面和侧壁上；以及

栅电极，通过所述栅极介电层与所述半导体鳍间隔开，其中，所述栅电极包括：

第一金属层，位于所述半导体鳍上方并且与所述半导体鳍对准，其中，所述第一金属层基本上不包括低于所述半导体鳍的顶面的部分；以及

第二金属层，包括位于所述第一金属层上方并且与所述第一金属层对准的第一部分以及低于所述半导体鳍的顶面的第二部分，其中，所述第一金属层和所述第二金属层包含不同的材料，并且其中，所述第一金属层和所述第二金属层的所述第一部分形成所述FinFET的栅电极的顶部，所述第二金属层的所述第二部分形成所述FinFET的所述栅电极的侧壁部分。

9.根据权利要求8所述的器件，其中，所述第一金属层具有第一功函，所述第二金属层具有第二功函，并且其中，所述第一功函大于所述第二功函。

10.一种方法，包括：

在半导体鳍上形成栅极电介质，其中，所述栅极电介质包括位于所述半导体鳍的顶面上方的顶部以及位于所述半导体鳍的侧壁上的侧壁部分；

在所述栅极电介质的顶部上方形成第一金属层，其中，所述第一金属层不包括在所述栅极电介质的所述侧壁部分上延伸的部分；以及

形成第二金属层，其中，所述第二金属层包括位于所述第一金属层上方的第一部分以及在所述栅极电介质的侧壁部分上延伸的第二部分，并且其中，所述第一金属层和所述第二金属层包含不同的材料。