[发明专利]微机电器件蚀刻停止有效
| 申请号： | 201210057626.7 | 申请日： | 2012-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN102745638A | 公开（公告）日： | 2012-10-24 |
| 发明（设计）人： | 朱家骅;蔡易恒;梁凯智;徐家保;朱立晟;张贵松;杨学安;林宗贤 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | B81B3/00 | 分类号： | B81B3/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;房岭梅 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了微机电系统(MEMS)器件和用于制造这种器件的方法。在实施例中，MEMS器件包括：衬底，位于衬底上方的介电层，位于介电层上方的蚀刻停止层，以及和位于介电层上方的两个定位塞，该两个定位塞均与设置在介电层上方的蚀刻停止层或顶部金属层相接触。该器件进一步包括设置在空腔上方的MEMS结构层，该空腔通过释放牺牲层而在两个定位塞之间和位于蚀刻停止层上方的位置上形成。本发明还提供了一种微机电器件蚀刻停止。 | ||
| 搜索关键词： | 微机 器件 蚀刻 停止 | ||
【主权项】：
一种微机电系统(MEMS)器件，包括：衬底；介电层，位于所述衬底上方；蚀刻停止层，位于所述介电层上方；两个定位塞，位于所述介电层上方，所述两个定位塞均与设置在所述介电层上方的所述蚀刻停止层或者顶部金属层相接触；以及微机电系统(MEMS)结构层，被设置在空腔的上方，通过释放所述牺牲层，在所述两个定位塞之间并且在所述蚀刻停止层上方形成所述空腔。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210057626.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种含有粘土的多孔活性储氨活性混合物制备
- 下一篇：使用太阳能电池的发电系统
