[发明专利]微机电器件蚀刻停止

权利要求书

1.一种微机电系统(MEMS)器件，包括：

衬底；

介电层，位于所述衬底上方；

蚀刻停止层，位于所述介电层上方；

两个定位塞，位于所述介电层上方，所述两个定位塞均与设置在所述介电层上方的所述蚀刻停止层或者顶部金属层相接触；以及

微机电系统(MEMS)结构层，被设置在空腔的上方，通过释放所述牺牲层，在所述两个定位塞之间并且在所述蚀刻停止层上方形成所述空腔。

2.根据权利要求1所述的器件，其中，所述蚀刻停止层包含介电材料或者非导电材料，或者

其中，所述蚀刻停止层耐HF蒸汽、耐液态HF、和/或耐缓冲HF，或者

其中，所述蚀刻停止层由AlN、SiC、和/或无定形碳构成，或者

其中，所述介电层和所述牺牲层由相同材料构成，或者

其中，所述定位塞被设置为穿过所述MEMS结构层和/或所述牺牲层，或者

其中，所述定位塞由导电材料或者非导电材料构成。

3.根据权利要求1所述的器件，其中，所述定位塞由SiGe、多晶硅、钨、氮化钛、和/或氧化铝构成。

4.根据权利要求1所述的器件，其中，所述顶部金属层被设置在所述蚀刻停止层上方；并且所述器件进一步包括：导电通孔，被设置为穿过所述MEMS结构层，从而与所述顶部金属层相接触。

5.根据权利要求1所述的器件，其中，所述顶部金属层被设置在位于所述介电层上方的部分中，并且其中，所述蚀刻停止层被设置在所述顶部金属层的所述部分之间。

6.一种制造微机电系统(MEMS)器件的方法，所述方法包括：

提供衬底；

在所述衬底上方形成介电层；

在所述介电层上方形成蚀刻停止层；

在所述蚀刻停止层上方形成牺牲层；

在所述牺牲层上方形成微机电系统(MEMS)结构层；

在所述介电层上方形成两个定位塞，所述两个定位塞均与位于所述介电层上方的所述蚀刻停止层或顶部金属层相接触；

图案化所述MEMS结构层，从而形成释放孔；以及

通过所述MEMS结构层的所述释放孔去除位于所述两个定位塞之间并且位于所述蚀刻停止层上方的所述牺牲层。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述蚀刻停止层由介电材料或者非导电材料构成，或者

其中，所述蚀刻停止层耐HF蒸汽、耐液态HF、和/或耐缓冲HF，或者

其中，所述蚀刻停止层由AlN、SiC、和/或无定形碳构成，或者

其中，所述介电层和所述牺牲层由相同材料构成，或者

其中，所得形成的所述定位塞穿过所述MEMS结构层和/或所述牺牲层，或者

其中，所述定位塞由导电材料或非导电材料构成。

8.根据权利要求6所述的方法，其中，所述定位塞由SiGe、多晶硅、钨、氮化钛、和/或氧化铝构成。

9.根据权利要求6所述的方法，进一步包括：

在所述蚀刻停止层上方形成所述顶部金属层；以及

形成穿过所述MEMS结构层和所述牺牲层，从而与所述顶部金属层相接触的导电通孔。

10.根据权利要求6所述的方法，进一步包括：

在所述介电层上方的部分中形成所述顶部金属层；以及

在所述顶部金属层的所述部分之间形成所述蚀刻停止层。