[发明专利]一种处理多晶硅生产废气的方法无效
| 申请号： | 201210054156.9 | 申请日： | 2012-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN102580459A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 任延涛;周冬松 | 申请（专利权）人： | 洛阳晶辉新能源科技有限公司 |
| 主分类号： | B01D53/047 | 分类号： | B01D53/047;B01D5/00;F25J3/08;C01B33/107 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人： | 王浩然;周建秋 |
| 地址： | 471009 河南省洛阳*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种处理多晶硅生产废气的方法，所述多晶硅生产废气含有氯硅烷、氢气和氮气，该方法包括以下步骤：(1)对所述多晶硅生产废气进行增压和预冷凝；(2)将步骤(1)中预冷凝后的所述多晶硅生产废气与吸附剂接触，所述接触的条件使得所述吸附剂对氯硅烷的吸附能力强于对氮气和氢气的吸附能力；(3)对步骤(2)得到的吸附有氯硅烷的吸附剂进行反吹脱附，得到脱附气；(4)将步骤(3)得到的脱附气冷凝，使得至少部分氯硅烷被冷凝下来。根据本发明的方法，能够回收得到数量可观的氯硅烷液体，该氯硅烷液体可以再返回多晶硅生产系统中，从而实现了多晶硅的“闭环”生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 处理 多晶 生产 废气 方法 | ||
【主权项】：
一种处理多晶硅生产废气的方法，所述多晶硅生产废气含有氯硅烷、氢气和氮气，其特征在于，该方法包括以下步骤：(1)对所述多晶硅生产废气进行增压和预冷凝，预冷凝的温度优选为‑55℃至35℃；(2)将步骤(1)中预冷凝后的所述多晶硅生产废气与吸附剂接触，所述接触的条件使得所述吸附剂对氯硅烷的吸附能力强于对氮气和氢气的吸附能力；(3)对步骤(2)得到的吸附有氯硅烷的吸附剂进行反吹脱附，得到脱附气；(4)将步骤(3)得到的脱附气冷凝，使得至少部分氯硅烷被冷凝下来，所述冷凝的温度优选为‑55℃至30℃。
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