[发明专利]一种处理多晶硅生产废气的方法无效
| 申请号： | 201210054156.9 | 申请日： | 2012-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN102580459A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 任延涛;周冬松 | 申请（专利权）人： | 洛阳晶辉新能源科技有限公司 |
| 主分类号： | B01D53/047 | 分类号： | B01D53/047;B01D5/00;F25J3/08;C01B33/107 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人： | 王浩然;周建秋 |
| 地址： | 471009 河南省洛阳*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 处理 多晶 生产 废气 方法 | ||
1.一种处理多晶硅生产废气的方法，所述多晶硅生产废气含有氯硅烷、氢气和氮气，其特征在于，该方法包括以下步骤：
(1)对所述多晶硅生产废气进行增压和预冷凝，预冷凝的温度优选为-55℃至35℃；
(2)将步骤(1)中预冷凝后的所述多晶硅生产废气与吸附剂接触，所述接触的条件使得所述吸附剂对氯硅烷的吸附能力强于对氮气和氢气的吸附能力；
(3)对步骤(2)得到的吸附有氯硅烷的吸附剂进行反吹脱附，得到脱附气；
(4)将步骤(3)得到的脱附气冷凝，使得至少部分氯硅烷被冷凝下来，所述冷凝的温度优选为-55℃至30℃。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，步骤(1)中，增压后的压力为0.15-1.5MPa。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述吸附剂为活性炭吸附剂和/或分子筛吸附剂。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，步骤(2)中，所述接触的温度为-55℃至35℃，接触的压力为0.1MPa至1.0MPa，接触的时间为0.5-50s。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，步骤(3)中，所述反吹脱附的条件包括：温度为50-180℃，压力为-0.09MPa至0.05MPa。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，步骤(3)中，以含有氢气和/或氮气的气体作为反吹气；优选地，以步骤(2)中未被该吸附剂吸附的气体作为反吹气。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，步骤(3)还包括将得到的脱附气进行增压，增压后的压力优选为0.1-1.0MPa。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，该方法还包括将步骤(2)中未被该吸附剂吸附的气体中的氮气和氢气进行分离，优选地，该方法还包括使分离出的氮气和氢气分别返回多晶硅生产系统。
9.根据权利要求1-8中任意一项所述的方法，其中，该方法还包括使步骤(4)中冷凝下来的氯硅烷返回多晶硅生产系统。
10.根据权利要求1-8中任意一项所述的方法，其中，该方法还包括使步骤(4)中未冷凝下来的气体返回步骤(1)。
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