[发明专利]一种石墨烯薄膜的热转移方法

摘要

本发明涉及一种石墨烯薄膜的热转移方法。本发明首先利用化学气相沉积装置在铜箔表面生长出石墨烯薄膜，然后将铜箔一端固定反扣在目标基底边缘并平贴在其表面，接着将目标基底连同铜箔整齐放到支撑台上并慢慢推入热转印机滚轮，利用滚轮的压力和热量将铜箔一侧的石墨烯薄膜转移到目标基底上，最后固定铜箔活动端并静置冷却一段时间后取下铜箔，这样铜箔一侧表面的石墨烯薄膜被转移到目标基底上。本发明提供的石墨烯热转移方法，操作方便，工艺简单，整个操作过程没有有机介质的参与，可以向任何目标基底成功转移数十微米及以上尺寸的石墨烯薄膜，适用于石墨烯半导体器件开发及研究等领域。

主权项

一种石墨烯薄膜的热转移方法，其特征在于该方法包括以下步骤： 步骤1.利用化学气相沉积装置在25微米厚的铜箔片两侧分别生长石墨烯薄膜；步骤2.将铜箔一端反扣并固定在目标基底的边缘，使得铜箔片平贴在目标基底表面；步骤3.将目标基底和铜箔一起整齐地放到支撑台上，并且慢慢推入热转印机滚轮下，利用滚轮的压力和热量将铜箔一侧的石墨烯薄膜转移到目标基底上，这个步骤需要重复2～4次；步骤4.从热转印机上取下目标基底和铜箔的结合体，将铜箔片另一端固定在其原始位置，静置冷却一段时间后取下铜箔片，得到转移至目标基底表面的石墨烯薄膜。