[发明专利]半导体装置及其制造方法无效

专利信息
申请号: 201210052479.4 申请日: 2012-03-02
公开(公告)号: CN102969285A 公开(公告)日: 2013-03-13
发明(设计)人: 古川修 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L23/29;H01L21/56
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 李今子
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明公开一种半导体装置及其制造方法。根据本发明的实施方式,提供一种具备底板、安装基板、半导体元件、保持器、保持器端子、壳体、第一密封层、以及第二密封层的半导体装置。所述安装基板设置在所述底板之上。所述半导体元件设置在所述安装基板之上。所述保持器设置在所述安装基板的上方。所述保持器端子由所述保持器保持并与所述半导体元件电连接。所述壳体沿着所述安装基板的侧面包围所述安装基板,沿着所述保持器的侧面包围所述保持器。所述第一密封层在由所述壳体包围的空间内覆盖所述安装基板以及所述半导体元件。所述第二密封层在由所述壳体包围的所述空间内设置在所述第一密封层之上,与所述第一密封层相比硬度高。
搜索关键词: 半导体 装置 及其 制造 方法
【主权项】:
一种半导体装置,其特征在于,具备:底板;安装基板,设置在所述底板之上;半导体元件,设置在所述安装基板之上;保持器,设置在所述安装基板的上方;保持器端子,由所述保持器保持并与所述半导体元件电连接;壳体,沿着所述安装基板的侧面包围所述安装基板,沿着所述保持器的侧面包围所述保持器;第一密封层,在由所述壳体包围的空间内覆盖所述安装基板以及所述半导体元件;以及第二密封层,在由所述壳体包围的所述空间内设置在所述第一密封层之上,与所述第一密封层相比硬度高。
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