[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

底板；

安装基板，设置在所述底板之上；

半导体元件，设置在所述安装基板之上；

保持器，设置在所述安装基板的上方；

保持器端子，由所述保持器保持并与所述半导体元件电连接；

壳体，沿着所述安装基板的侧面包围所述安装基板，沿着所述保持器的侧面包围所述保持器；

第一密封层，在由所述壳体包围的空间内覆盖所述安装基板以及所述半导体元件；以及

第二密封层，在由所述壳体包围的所述空间内设置在所述第一密封层之上，与所述第一密封层相比硬度高。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一密封层以及所述第二密封层包括硅胶。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还具备：保持器用树脂层，该保持器用树脂层与所述壳体、所述保持器的侧面的至少一部分、以及所述保持器的下表面相接，与所述第二密封层相比硬度高，

在所述第二密封层与所述保持器用树脂层之间存在空隙。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，所述保持器用树脂层包括环氧系树脂。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还具备：控制电路基板，该控制电路基板设置在所述安装基板与所述保持器之间，包括控制所述半导体元件的控制元件，被所述第二密封层所包围。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第二密封层的针入度比所述第一密封层的针入度低。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一密封层的针入度大于等于100且小于等于500，所述第二密封层的针入度大于等于10且小于100。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体元件包括功率用晶闸管、功率用二极管以及功率用晶体管中的至少任一个。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述底板包括包含AlSiC的复合材料板、以及金属板中的至少任一个。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述安装基板包括陶瓷板。

11.一种半导体装置，其特征在于，具备：

底板；

安装基板，设置在所述底板之上；

半导体元件，设置在所述安装基板之上；

保持器，设置在所述安装基板的上方；

保持器端子，由所述保持器保持并与所述半导体元件电连接；

壳体，沿着所述安装基板的侧面包围所述安装基板，沿着所述保持器的侧面包围所述保持器；

第一密封层，在由所述壳体包围的空间内覆盖所述安装基板以及所述半导体元件；以及

第二密封层，在由所述壳体包围的所述空间内设置在所述第一密封层之上，与所述第一密封层相比难以变形。

12.根据权利要求11所述的半导体装置，其特征在于，所述第一密封层包括硅油。

13.根据权利要求11所述的半导体装置，其特征在于，还具备：保持器用树脂层，该保持器用树脂层与所述壳体、所述保持器的侧面的至少一部分、以及所述保持器的下表面相接，与所述第二密封层相比硬度高，

在所述第二密封层与所述保持器用树脂层之间存在空隙。

14.根据权利要求13所述的半导体装置，其特征在于，所述保持器用树脂层包括环氧系树脂。

15.根据权利要求11所述的半导体装置，其特征在于，还具备：控制电路基板，该控制电路基板设置在所述安装基板与所述保持器之间，包括控制所述半导体元件的控制元件，被所述第二密封层所包围。

16.根据权利要求11所述的半导体装置，其特征在于，所述第二密封层的针入度比所述第一密封层的针入度低。

17.根据权利要求11所述的半导体装置，其特征在于，所述第一密封层为液体。