[发明专利]一种低温多晶硅薄膜的制作方法和低温多晶硅薄膜

摘要

本发明提供一种低温多晶硅薄膜的制作方法和低温多晶硅薄膜，用以制作表面粗糙度较低、晶粒尺寸较大且分布均匀的低温多晶硅薄膜。该制作方法包括：在基板上形成一缓冲层；在所述缓冲层上，采用图案形成工艺形成晶核位置均匀分布的籽晶层；在所述籽晶层上形成非晶硅层；对所述非晶硅层进行准分子激光退火。采用本发明提供的低温多晶硅薄膜的制作方法制作的低温多晶硅薄膜，其晶粒尺寸较大，分布均匀，并且具有非常低的表面粗糙度，从而解决了应用于低温多晶硅显示器背板中，迁移率较低，薄膜晶体管的漏电流较大，迁移率及阈值电压不均匀性的问题。

主权项

1.一种低温多晶硅薄膜的制作方法，其特征在于，包括：在基板上形成一缓冲层；在所述缓冲层上，采用图案形成工艺形成晶核位置均匀分布的非晶硅型籽晶层；在所述籽晶层上形成非晶硅层；在400～500℃的温度下，对所述非晶硅层进行0.5～3小时的高温处理；对高温处理后的所述非晶硅层进行至少两次的准分子激光退火，获得晶粒尺寸达到600微米，表面粗糙度达到2nm的低温多晶硅薄膜；其中，第一次准分子激光退火的工艺参数为：激光脉冲频率为300Hz，重叠率为92％～98％，激光能量密度为300～500mJ/cm2；第二次准分子激光退火的工艺参数为：激光脉冲频率为300Hz，重叠率为5％～10％，激光能量密度为50～150mJ/cm2。