[发明专利]一种低温多晶硅薄膜的制作方法和低温多晶硅薄膜有效
| 申请号： | 201210052305.8 | 申请日： | 2012-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN102709160B | 公开（公告）日： | 2018-06-22 |
| 发明（设计）人： | 田雪雁;龙春平;姚江峰 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/02;H01L21/268 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;黄灿 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 低温多晶硅薄膜 制作 表面粗糙度 非晶硅层 晶粒 缓冲层 迁移率 籽晶层 准分子激光退火 图案形成工艺 薄膜晶体管 低温多晶硅 显示器背板 不均匀性 晶核位置 阈值电压 漏电流 基板 应用 | ||
1.一种低温多晶硅薄膜的制作方法，其特征在于，包括：
在基板上形成一缓冲层；
在所述缓冲层上，采用图案形成工艺形成晶核位置均匀分布的非晶硅型籽晶层；
在所述籽晶层上形成非晶硅层；
在400～500℃的温度下，对所述非晶硅层进行0.5～3小时的高温处理；
对高温处理后的所述非晶硅层进行至少两次的准分子激光退火，获得晶粒尺寸达到600微米，表面粗糙度达到2nm的低温多晶硅薄膜；
其中，第一次准分子激光退火的工艺参数为：激光脉冲频率为300Hz，重叠率为92％～98％，激光能量密度为300～500mJ/cm2；第二次准分子激光退火的工艺参数为：激光脉冲频率为300Hz，重叠率为5％～10％，激光能量密度为50～150mJ/cm2。
2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，
所述在所述缓冲层上，采用图案形成工艺形成晶核位置均匀分布的籽晶层，具体为：
在所述缓冲层上，采用等离子体增强化学气相沉积法PECVD法沉积一层非晶硅材料层；
采用图案形成工艺，利用所述非晶硅材料层在所述缓冲层上形成非晶硅岛位置均匀分布的非晶硅型籽晶层。
3.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，
所述缓冲层为SiNx层与SiO2层组成的复合缓冲层；或者
所述缓冲层为SiO2缓冲层。
4.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，
所述晶核之间的间距为1～3微米；
所述籽晶层的厚度为5纳米。
5.一种采用权利要求1-4中任一所述的制作方法制作的低温多晶硅薄膜。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司，未经京东方科技集团股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210052305.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
