[发明专利]一种发光二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 201210052234.1 | 申请日： | 2012-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN103296152A | 公开（公告）日： | 2013-09-11 |
| 发明（设计）人： | 张楠;郝茂盛 | 申请（专利权）人： | 上海蓝光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/20;H01L33/24 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种发光二极管及其制造方法，通过将发光外延结构利用光刻图形刻蚀成三角形或/及菱形发光外延单元阵列，然后制作绝缘层以绝缘芯片走道侧壁、制作透明导电层以连接各该发光外延单元的P-GaN层、以及制作电极以完成所述发光二极管的制造。采用本发明制造方法的发光二极管能降低芯片对光线的全反射及吸收，大大的提高了芯片的出光率。本发明工艺简单，兼容于一般的发光二极管制造工艺，适用于工业生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管的制造方法，其特征在于，所述制造方法至少包括以下步骤：1)提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上形成至少包括N‑GaN层、量子阱层以及P‑GaN层的发光外延结构；2)按所需图形在所述发光外延结构中刻蚀出多条直至N‑GaN层的V形槽以及欲制备N电极的区域，藉由所述的多个V形槽区隔成多个三角形或/及菱形的发光外延单元，以使所述发光外延结构中形成由多个三角形或/及菱形的发光外延单元组成的阵列；3)在各该V形槽侧壁形成绝缘层，然后在所述各该发光外延单元表面及绝缘层表面形成透明导电层以使发光外延单元之间互相连接，最后在所述透明导电层上制备P电极及在所述欲制备N电极的区域制备N电极，以完成所述发光二极管的制造。
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