[发明专利]一种发光二极管及其制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管的制造方法，其特征在于，所述制造方法至少包括以下步骤：

1)提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上形成至少包括N-GaN层、量子阱层以及P-GaN层的发光外延结构；

2)按所需图形在所述发光外延结构中刻蚀出多条直至N-GaN层的V形槽以及欲制备N电极的区域，藉由所述的多个V形槽区隔成多个三角形或/及菱形的发光外延单元，以使所述发光外延结构中形成由多个三角形或/及菱形的发光外延单元组成的阵列；

3)在各该V形槽侧壁形成绝缘层，然后在所述各该发光外延单元表面及绝缘层表面形成透明导电层以使发光外延单元之间互相连接，最后在所述透明导电层上制备P电极及在所述欲制备N电极的区域制备N电极，以完成所述发光二极管的制造。

2.根据权利要求1所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：所述步骤2)中采用光刻技术及掩膜技术制备出三角形或/及菱形阵列的光刻图形，然后采用化学腐蚀法对所述发光外延结构进行腐蚀以形成所述多个V形槽。

3.根据权利要求2所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：所述步骤2)中，依据所述的光刻图形刻蚀所述发光外延结构，去除光刻图形对应的所述的P-GaN层、量子阱层、以及部分的N-GaN层以形成所述V形槽。

4.根据权利要求1所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：所述绝缘层为SiO₂层或Si₃N₄层。

5.根据权利要求1所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：所述三角形发光外延单元具有正三角形结构。

6.根据权利要求1所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：所述菱形发光外延单元中至少一顶角的角度为30度～75度。

7.一种发光二极管，其特征在于，至少包括：

发光外延阵列，包括藉由多个直至N-GaN层的V形槽隔成的多个三角形或/及菱形的发光外延单元、以及N电极制备区域；

绝缘层，结合于所述V形槽侧壁；

透明导电层，结合于所述绝缘层与各该发光外延单元表面；

P电极及N电极，分别位于所述透明导电层表面及所述N电极制备区域的表面。

8.根据权利要求7所述的发光二极管，其特征在于：所述三角形发光外延单元具有正三角形结构。

9.根据权利要求7所述的发光二极管，其特征在于：所述菱形发光外延单元中至少一顶角的角度为30度～75度。