[发明专利]接触孔及其制作方法、半导体器件有效
| 申请号： | 201210051721.6 | 申请日： | 2012-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN102569182A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 汪洋 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种接触孔的制作方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底的源区、漏区及栅极上淀积BPSG介质层；在所述介质层内形成分别暴露源区、漏区及栅极表面的第一沟槽、第二沟槽与第三沟槽；在第一至第三沟槽内依次形成Ti金属层、TiN扩散阻挡层，其中，TiN扩散阻挡层通过N2与Ar的混合气体与Ti靶材进行物理气相沉积生成；对所述半导体衬底进行快速热退火以形成Ti的金属硅化物；在所述TiN扩散阻挡层上形成填充各自沟槽的金属层。此外，本发明还提供了上述方法形成的接触孔及包含该接触孔的半导体器件。采用本发明的技术方案，可以达到在退火过程中，该BPSG介质层内不易出现裂痕。 | ||
| 搜索关键词： | 接触 及其 制作方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种接触孔的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有包括源区、漏区及栅极的MOS晶体管；在所述源区、漏区及栅极上淀积介质层，所述介质层材质为BPSG；在所述介质层内形成分别暴露源区、漏区及栅极表面的第一沟槽、第二沟槽与第三沟槽；在所述第一沟槽、第二沟槽与第三沟槽内依次形成Ti金属层、TiN扩散阻挡层，其中，TiN扩散阻挡层通过N2与Ar的混合气体与Ti靶材进行物理气相沉积生成；对所述半导体衬底进行快速热退火以形成Ti的金属硅化物；在所述TiN扩散阻挡层上形成填充各自沟槽的金属层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海宏力半导体制造有限公司，未经上海宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210051721.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：生物生长控制装置
- 下一篇：一种气体泄漏自动保护器
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
