[发明专利]接触孔及其制作方法、半导体器件有效
| 申请号： | 201210051721.6 | 申请日： | 2012-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN102569182A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 汪洋 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 接触 及其 制作方法 半导体器件 | ||
1.一种接触孔的制作方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有包括源区、漏区及栅极的MOS晶体管；
在所述源区、漏区及栅极上淀积介质层，所述介质层材质为BPSG；
在所述介质层内形成分别暴露源区、漏区及栅极表面的第一沟槽、第二沟槽与第三沟槽；
在所述第一沟槽、第二沟槽与第三沟槽内依次形成Ti金属层、TiN扩散阻挡层，其中，TiN扩散阻挡层通过N2与Ar的混合气体与Ti靶材进行物理气相沉积生成；
对所述半导体衬底进行快速热退火以形成Ti的金属硅化物；
在所述TiN扩散阻挡层上形成填充各自沟槽的金属层。
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，通入的N2与Ar的比例根据TiN中Ti与N含量比调节。
3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，通入的N2与Ar的比例的范围为：2.5∶1到3.5∶1。
4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，N2与Ar的混合气体与Ti靶材进行物理气相沉积步骤中，功率范围为：3000W-5000W。
5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述快速热退火工艺的温度范围为：600℃～800℃。
6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述Ti金属层通过Ar轰击Ti靶材进行物理气相沉积生成。
7.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述MOS晶体管为沟槽MOS晶体管。
8.一种接触孔，其特征在于，由上述任一权利要求所述的制作方法形成。
9.一种半导体器件，其特征在于，包含权利要求8所述的接触孔。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
