[发明专利]一种用于制备第二代高温超导材料的金属基带的表面处理方法有效

专利信息
申请号: 201210050343.X 申请日: 2012-02-29
公开(公告)号: CN103290394A 公开(公告)日: 2013-09-11
发明(设计)人: 庄维伟;高永超;杨淑平;蔡渊;贺昱旻 申请(专利权)人: 苏州新材料研究所有限公司
主分类号: C23C18/12 分类号: C23C18/12;C23C18/00
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 常亮;李辰
地址: 215125 江苏省苏州*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 一种用于制备第二代高温超导材料的金属基带的表面处理方法,该处理方法包括两个阶段的表面平整工艺,分别在第一阶段用电化学抛光、金属有机沉积或机械抛光中的一种表面平整工艺,使原始金属基带的表面粗糙度低于5nm,以及在第二阶段采用有机金属沉积工艺,在基带表面形成Al2O3或Y2O3金属氧化物薄膜,使金属基带的表面平整度低于1nm,达到制备第二代高温超导材料所需基带的技术要求。相比较现有技术,本发明的表面处理方法保证了工业化生产适合用于制备高温超导材料基带的工艺的稳定性和可靠性,大大降低了对原始金属基带的表面粗糙度的要求,可以为对表面平整度具有相当高要求的第二代高温超导带材的大规模生产提供合格的基带。
搜索关键词: 一种 用于 制备 第二代 高温 超导 材料 金属 基带 表面 处理 方法
【主权项】:
一种用于制备第二代高温超导材料的金属基带的表面处理方法,该表面处理方法用以降低金属基带的表面粗糙度,使表面粗糙度小于1nm,其特征在于:包括提供一原始金属基带,对该原始金属基带进行表面粗糙度测量;依据上述测量结果,选择第一表面平整处理工艺,对所述原始金属基带进行第一阶段表面平整处理,使该原始金属基带的表面粗糙度小于5nm;对上述原始金属基带进行第二阶段表面平整处理,该第二阶段表面平整处理以金属有机沉积工艺作为处理工艺,该金属有机沉积工艺的沉积薄膜为Al2O3或Y2O3中的一种,该金属有机沉积工艺的沉积次数使得所述原书金属基带的表面粗糙度小于1nm。
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