[发明专利]发光器件包及其制造方法无效
| 申请号： | 201210049480.1 | 申请日： | 2007-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN102646778A | 公开（公告）日： | 2012-08-22 |
| 发明（设计）人： | 金根浩;李承烨;元裕镐 | 申请（专利权）人： | LG电子株式会社;LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L25/16 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 刘敏;夏凯 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 公开了一种能够实现提高发光效率和减小热阻的发光器件包和一种用来制造它的方法。该方法包括：在第一基片中形成安装孔；在第二基片中形成通孔；在通孔中形成金属膜；在第二基片的上下表面上形成至少一对金属层，以至于金属层电气连接到金属膜；把第一基片连结到第二基片；及把至少一个发光器件安装在安装孔中，以至于发光器件电气连接到在第二基片的上表面上形成的金属层上。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光器件包，包括：基片，所述基片包括第一表面、第二表面，和至少一个通孔；第一电极，所述第一电极在所述第一表面上，所述第一电极电连接到发光器件，其中所述第一电极具有一对部分；发光器件，所述发光器件在所述第一表面上，其中所述发光器件布置在所述一对部分上；第二电极，所述第二电极在所述第二表面上，所述第二电极电连接到所述第一电极；齐纳二极管，所述齐纳二极管在所述第一表面上，所述齐纳二极管电连接到所述第一电极，其中所述齐纳二极管相对于所述发光器件横向布置，并且其中所述发光器件和所述齐纳二极管布置在所述第一电极的相同侧；以及封装，所述封装在所述发光器件上。
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