[发明专利]发光器件包及其制造方法

权利要求书

1.一种发光器件包，包括：

基片，所述基片包括第一表面、第二表面，和至少一个通孔；

第一电极，所述第一电极在所述第一表面上，所述第一电极电连接到发光器件，其中所述第一电极具有一对部分；

发光器件，所述发光器件在所述第一表面上，其中所述发光器件布置在所述一对部分上；

第二电极，所述第二电极在所述第二表面上，所述第二电极电连接到所述第一电极；

齐纳二极管，所述齐纳二极管在所述第一表面上，所述齐纳二极管电连接到所述第一电极，其中所述齐纳二极管相对于所述发光器件横向布置，并且其中所述发光器件和所述齐纳二极管布置在所述第一电极的相同侧；以及

封装，所述封装在所述发光器件上。

2.根据权利要求1所述的发光器件包，其中所述基片包括PCB、BeO、SiO、Si、Al、AlO_x、PSG、合成树脂材料、陶瓷、AlN、SiC、石墨及Al₂O₃中的至少一种材料。

3.根据权利要求1所述的发光器件包，其中所述齐纳二极管的一部分被配置为提供反射表面。

4.根据权利要求1所述的发光器件包，其中所述发光器件和所述齐纳二极管位于基本上相同的平面。

5.根据权利要求1所述的发光器件包，进一步包括布置在所述发光器件上的磷材料。

6.根据权利要求1所述的发光器件包，其中所述封装包含磷材料。

7.根据权利要求6所述的发光器件包，其中所述磷材料包括黄磷材料。

8.根据权利要求1所述的发光器件包，其中所述基片具有100W/mK或更大的导热系数。

9.根据权利要求1所述的发光器件包，其中所述第二电极经由布置在所述通孔中的金属或传导材料电连接到所述第一电极。

10.根据权利要求1所述的发光器件包，其中所述齐纳二极管包括：

半导体层；以及

扩散区，所述扩散区在所述半导体层上。

11.根据权利要求10所述的发光器件包，其中所述半导体层具有第一传导性，并且所述扩散区具有与所述第一传导性相反的第二传导性。

12.根据权利要求10所述的发光器件包，其中所述半导体层包括在第二基片中，所述第二基片布置在所述基片上。

13.根据权利要求1所述的发光器件包，其中所述第一电极包括Al、Ag、Cr、和Mo中的至少一种。

14.根据权利要求1所述的发光器件包，其中所述封装包括环氧树脂或硅树脂。

15.根据权利要求1所述的发光器件包，其中所述第二电极和所述通孔中的至少一个包括一对部分。

16.根据权利要求1所述的发光器件包，其中所述发光器件位于所述第一电极的第一部分，并且所述齐纳二极管位于所述第一电极的第二部分。

17.根据权利要求1所述的发光器件包，其中在所述第一表面处的通孔的尺寸与在所述第二表面处的通孔的尺寸基本上相同。

18.根据权利要求1所述的发光器件包，其中所述发光器件和所述第一表面之间的最短距离与所述齐纳二极管和所述第一表面之间的最短距离基本上相同。