[发明专利]一种基于纳米晶的NAND存储器及其制作方法无效
| 申请号： | 201210048578.5 | 申请日： | 2012-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN103296070A | 公开（公告）日： | 2013-09-11 |
| 发明（设计）人： | 王琴;杨潇楠;王永;张满红;霍宗亮;刘明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/43 | 分类号： | H01L29/43;H01L27/115;H01L21/28;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于纳米晶的NAND存储器及其制造方法，该存储器包括纳米晶存储单元和选择晶体管。纳米晶存储单元包括硅衬底，位于硅衬底中两侧的源导电区和漏导电区，源导电区与漏导电区之间的载流子沟道上覆盖的隧穿介质层，覆盖在隧穿介质层上的纳米晶电荷存储层，覆盖在纳米晶电荷存储层上的控制栅介质层，覆盖在控制栅介质层上的栅电极材料层。选择晶体管包括硅衬底，位于硅衬底中两侧的源导电区和漏导电区，源导电区与漏导电区之间的载流子沟道上覆盖的介质层，覆盖在介质层上的栅电极材料层。本发明可以大规模减小芯片面积，同时由于免去存储单元中间部分的源漏结，可以省去1至2道光罩，节省了成本，为下一代存储做准备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 纳米 nand 存储器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种NAND存储器，包括存储单元和晶体管，所述存储单元包括：硅衬底(1)；在所述硅衬底(1)的两侧的源导电区(6)和漏导电区(7)；在源导电区(6)与漏导电区(7)之间的载流子沟道上覆盖的隧穿介质层(2)；其特征在于，所述存储单元还包括：覆盖在隧穿介质层(2)上的纳米晶电荷存储层(3)；覆盖在纳米晶电荷存储层(3)上的控制栅介质层(4)；覆盖在控制栅介质层(4)上的栅电极材料层(5)。
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