[发明专利]石斛大棚人工栽培方法

摘要

本发明涉及中草药种植技术领域，具体涉及一种石斛大棚人工栽培方法。其特征在于该方法通过选择栽培设施、准备苗床、基质，进行定植栽培，后对植株的温度、湿度、水份、肥料进行控制，进而实现石斛大棚人工栽培，从而满足石斛药用市场的需要。本发明的有益效果在于通过大棚栽培来实现石斛野生状态生产条件，从而提高石斛的产量，增加药农的种植效益。

主权项

石斛大棚人工栽培方法，其特征在于包含下述步骤：(1)、栽培前的准备工作温室构建择钢构骨架，温室长30m、宽6m，肩高1.8m，总高4m左右；种植苗床之间要预留宽1m左右的道路，苗床宽1.2m.架空高度40Cm，栽培床底部采用钢丝网铺设，基质倒于栽培床上，厚度为7～15cm；基质由石灰岩碎石滤水层5cm+锯末8cm+活苔藓2cm为基质；(2)、定植栽培方法组培苗根长在0.5～1.0cm时将石斛组培苗放在室内炼苗20～25天后，用清水洗净组培苗根上的培养基，用0.1％的百菌清液消毒，按15cm×20cm的株行距种植，石斛为丛生植物，以3株1丛种植更适宜；移栽时间、选择在4～5月，移栽时可在基质上挖深2～3cm的小洞，炼苗、出瓶洗净后将组培苗根部放人小洞后用基质盖好；(3)、温室条件管理①光照控制石斛生长的最适光照强度为5000～10000lux；②温、湿度控制大棚内温度白天保持在25～30℃，夜晚15‑20℃，低温不要低于8℃，高温不要高于35℃。湿度控制在60％～80％；③水分控制在刚定植完的1个星期内，保持基质处于湿润状态，但不积水。在新根萌动后，以间干间湿的原则进行浇水，一次浇足后，待基质表层发白后再浇；④肥料控制石斛气生根的营养主要靠根系的兰菌固定空气中的游离氮，在新根萌动后喷施液体肥，如磷酸二氢钾液，或磷酸二氢钾加尿素液等，浓度均为0.1％左右，10天左右喷施1次，新根已长出10cm左右时，施加缓效颗粒肥，叶面肥常量元素为N∶P205∶K20＝25∶13∶13，其N、P、K总含量为51％，微量元素B、Fe、Zn、Cu、Mn、Mo总含量为1％；⑤植物生长调节剂，施用外源生长素GA<赤霉素>、6‑BA，在低浓度条件下，随着ABA(脱落酸)浓度的增加，原球茎的增殖速度加快，当ABA浓度为0.5mg/L时增殖最大。