[发明专利]石斛大棚人工栽培方法在审
申请号: | 201210048473.X | 申请日: | 2012-02-29 |
公开(公告)号: | CN103283428A | 公开(公告)日: | 2013-09-11 |
发明(设计)人: | 马雄英 | 申请(专利权)人: | 马雄英 |
主分类号: | A01G1/00 | 分类号: | A01G1/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 747400 甘肃省*** | 国省代码: | 甘肃;62 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 石斛 大棚 人工 栽培 方法 | ||
1.石斛大棚人工栽培方法,其特征在于包含下述步骤:
(1)、栽培前的准备工作温室构建择钢构骨架,温室长30m、宽6m,肩高1.8m,总高4m左右;种植苗床之间要预留宽1m左右的道路,苗床宽1.2m.架空高度40Cm,栽培床底部采用钢丝网铺设,基质倒于栽培床上,厚度为7~15cm;基质由石灰岩碎石滤水层5cm+锯末8cm+活苔藓2cm为基质;
(2)、定植栽培方法组培苗根长在0.5~1.0cm时将石斛组培苗放在室内炼苗20~25天后,用清水洗净组培苗根上的培养基,用0.1%的百菌清液消毒,按15cm×20cm的株行距种植,石斛为丛生植物,以3株1丛种植更适宜;移栽时间、选择在4~5月,移栽时可在基质上挖深2~3cm的小洞,炼苗、出瓶洗净后将组培苗根部放人小洞后用基质盖好;
(3)、温室条件管理
①光照控制石斛生长的最适光照强度为5000~10000lux;
②温、湿度控制大棚内温度白天保持在25~30℃,夜晚15-20℃,低温不要低于8℃,高温不要高于35℃。湿度控制在60%~80%;
③水分控制在刚定植完的1个星期内,保持基质处于湿润状态,但不积水。在新根萌动后,以间干间湿的原则进行浇水,一次浇足后,待基质表层发白后再浇;
④肥料控制石斛气生根的营养主要靠根系的兰菌固定空气中的游离氮,在新根萌动后喷施液体肥,如磷酸二氢钾液,或磷酸二氢钾加尿素液等,浓度均为0.1%左右,10天左右喷施1次,新根已长出10cm左右时,施加缓效颗粒肥,叶面肥常量元素为N∶P205∶K20=25∶13∶13,其N、P、K总含量为51%,微量元素B、Fe、Zn、Cu、Mn、Mo总含量为1%;
⑤植物生长调节剂,施用外源生长素GA<赤霉素>、6-BA,在低浓度条件下,随着ABA(脱落酸)浓度的增加,原球茎的增殖速度加快,当ABA浓度为0.5mg/L时增殖最大。
2.如权利要求1所述石斛大棚人工栽培方法,其特征在于可以根据种植地,进行温度、湿度调节,先试验取得稳定数据即可进行规模种植。
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