[发明专利]基于负微分电阻特性的SET/CMOS反相器有效
| 申请号： | 201210048040.4 | 申请日： | 2012-02-29 |
| 公开（公告）号： | CN102545879A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 魏榕山;陈寿昌;陈锦锋;何明华 | 申请（专利权）人： | 福州大学 |
| 主分类号： | H03K19/0185 | 分类号： | H03K19/0185 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 蔡学俊 |
| 地址： | 350002 福建省福州市铜*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于负微分电阻特性的SET/CMOS反相器，其特征在于：包括一单电子晶体管SET、一PMOS管以及一NMOS管，所述的PMOS管的源极与单电子晶体管SET的源极相连，单电子晶体管SET的栅极与PMOS管的漏极相连，所述NMOS管的漏极与所述PMOS管的漏极连接，本发明在具有较低功耗的同时，能够实现输出电压全摆幅以及较低的传输延迟，可以在数字电路设计中得到更好的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 微分 电阻 特性 set cmos 反相器 | ||
【主权项】：
一种基于负微分电阻特性的SET/CMOS反相器，其特征在于：包括一单电子晶体管SET、一PMOS管以及一NMOS管，其中单电子晶体管SET由两个隧穿结通过库仑岛串联而成，外加的偏置电压由栅极电容耦合到库仑岛上，所述的PMOS管的源极与单电子晶体管SET的源极相连，单电子晶体管SET的栅极与PMOS管的漏极相连，所述NMOS管的漏极与所述PMOS管的漏极连接，该NMOS管的源极接地。
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