[发明专利]基于负微分电阻特性的混合SETCMOS D触发器

摘要

本发明涉及集成电路技术领域，特别是一种基于负微分电阻特性的混合SETCMOS D触发器，该结构的重点是利用SET与CMOS组成的混合电路产生两种变化方向相反的NDR特性，并利用该特性构成两个用于存储电压值的稳态点，实现锁存器的功能,并通过级联两个锁存器实现D触发器功能。与传统的D触发器相比，本发明采用的基于负微分电阻特性的混合SET/CMOS D边沿触发器极大的降低了电路的功耗，并提高了电路的集成度。

主权项

一种基于负微分电阻特性的混合SETCMOS D触发器，其特征在于，包括： 一第一锁存器，其包括一NMOS传输管、具有NDR特性的混合SET/CMOS电路NDR1以及以SET/CMOS为基础的负微分电阻电路SET‑MOS1，所述的NDR1和SET‑MOS1串联，所述NMOS管的漏极连接至该NDR1和SET‑MOS1之间；一第二锁存器，其包括一PMOS传输管、具有NDR特性的混合SET/CMOS电路NDR2以及以SET/CMOS为基础的负微分电阻电路SET‑MOS2，所述的NDR2和SET‑MOS2串联，所述PMOS管的漏极连接至该NDR2和SET‑MOS2之间；以及一缓冲器，所述的第一锁存器经该缓冲器与所述第二锁存器连接。