[发明专利]氮化硅加热片及其制造方法有效
申请号: | 201210047169.3 | 申请日: | 2012-02-28 |
公开(公告)号: | CN102595665A | 公开(公告)日: | 2012-07-18 |
发明(设计)人: | 孟丽丽 | 申请(专利权)人: | 威海兴泰金属制造有限公司 |
主分类号: | H05B3/10 | 分类号: | H05B3/10;C04B35/584;C04B35/622 |
代理公司: | 威海科星专利事务所 37202 | 代理人: | 于涛 |
地址: | 264200 山东*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 本发明涉及一种加热片,具体地说是一种氮化硅加热片及其制造方法,包括本体和位于本体内的加热体,本体由氮化硅粉烧制而成,其特征在于加热体由发热区和位于加热体末端的用于焊接引线的不发热区组成,发热区由碳化钛TiC粉,碳化钽TaC粉,氧化铝Al2O3粉,氧化锆ZrO2粉,氧化钇Y2O3粉,碳化钨WC粉,镍Ni粉,铬Cr粉,氮化硅Si3N4粉混合烧制而成,本发明与现有技术相比,通过使用导电陶瓷粉烧结制得加热片本体内的发热体,能够有效提高产品的稳定性,克服现有技术中存在的发热体易断裂、与本体烧结一体性差,产品成品率低、使用性能不稳定等缺点,具有性能稳定、生产效率高、功率高等显著的优点。 | ||
搜索关键词: | 氮化 加热 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种氮化硅加热片,包括本体和位于本体内的加热体,本体由氮化硅粉烧制而成,其特征在于加热体由发热区和位于加热体末端的用于焊接引线的不发热区组成,发热区由碳化钛TiC粉,碳化钽TaC粉,氧化铝Al2O3粉,氧化锆ZrO2粉,氧化钇Y2O3粉,碳化钨WC粉,镍Ni粉,铬Cr粉,氮化硅Si3N4粉混合烧制而成。
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